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1. (WO2001018819) CIRCUIT A MEMOIRE REMANENTE ET PROCEDE PERMETTANT D'EFFACER LA MEMOIRE UN CERTAIN NOMBRE DE BITS A LA FOIS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/018819    N° de la demande internationale :    PCT/EP2000/008444
Date de publication : 15.03.2001 Date de dépôt international : 30.08.2000
CIB :
G11C 16/16 (2006.01), G11C 16/34 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL)
Inventeurs : CUPPENS, Roger; (NL)
Mandataire : DE HAAS, Laurens, J.; Internationaal Octrooibureau B.V., Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
99202947.0 10.09.1999 EP
Titre (EN) CIRCUIT WITH A NON-VOLATILE MEMORY AND METHOD OF ERASING THE MEMORY A NUMBER OF BITS AT A TIME
(FR) CIRCUIT A MEMOIRE REMANENTE ET PROCEDE PERMETTANT D'EFFACER LA MEMOIRE UN CERTAIN NOMBRE DE BITS A LA FOIS
Abrégé : front page image
(EN)The threshold of a number of storage transistors is shifted in steps. After such a step, a collective current through the main current channels of a number of these storage transistors is sensed. The same gate-source voltage is applied to all these transistors during sensing. The collective current indicates whether the threshold of all transistors has been sufficiently shifted. If not, a further threshold shifting step is applied.
(FR)Le seuil d'un certain nombre de transistors mémoire est décalé par étapes. Après cette étape, le courant collectif circulant à travers les canaux de courant principaux par un certain nombre de ces transistors mémoire est analysé. La même tension grille-source est appliquée à chaque transistor durant l'analyse. Le courant collectif indique si le seuil de chaque transistor a été suffisamment décalé. Si ce n'est pas le cas, une étape supplémentaire de décalage de seuil est appliquée.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)