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1. (WO2001018814) AMPLIFICATEUR PSEUDO-DIFFERENTIEL DISTRIBUTEUR DE COURANT, A HYSTERESE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/018814    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/023304
Date de publication : 15.03.2001 Date de dépôt international : 24.08.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.03.2001    
CIB :
G11C 7/06 (2006.01), H03F 3/345 (2006.01), H03K 3/3565 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way, Boise, ID 83716-9632 (US)
Inventeurs : FORBES, Leonard; (US)
Mandataire : VIKSNINS, Ann, S.; Schwegman, Lundberg, Woessner & Kluth, P.O. Box 2938, Minneapolis, MN 55402 (US)
Données relatives à la priorité :
09/379,532 24.08.1999 US
Titre (EN) PSEUDO-DIFFERENTIAL CURRENT SENSE AMPLIFIER WITH HYSTERESIS
(FR) AMPLIFICATEUR PSEUDO-DIFFERENTIEL DISTRIBUTEUR DE COURANT, A HYSTERESE
Abrégé : front page image
(EN)Structures and methods for high speed signaling over single sided/ended current sense amplifiers are provided. The present invention introduces hysteresis within a pseudo-differential current sense amplifier and provides it with adjustable thresholds for the detection of valid signals coupled with the rejection of small noise current transients or reflections and ringing when using low impedance interconnections and/or current signaling. The circuit provides a fast response time in a low power CMOS environment. A first embodiment includes a current sense amplifier having a first amplifier and a second amplifier which are electrically coupled. Each amplifier includes a first transistor of a first conductivity type and a second transistor of a second conductivity type, where the first and second transistors are coupled at a drain region. A single signal input node is coupled to a source region of the first transistor of the first amplifier and receives a signal input current. A first signal output node coupled to the drain region of the first and the second transistor in the second amplifier. The first signal output node is further coupled to a gate of a third transistor. A second signal output node is coupled to the drain region of the first and the second transistor in the first amplifier, and is further coupled to a gate of a fourth transistor. In one embodiment, a current mirror is coupled to the signal input node and the source regions of the first transistors in the first and the second amplifiers. Integrated circuits, electrical systems, methods of operation and methods of forming the novel current sense amplifier are similarly included. The novel pseudo differential current sense amplifier circuit facilitates the introduction of hysteresis which provides the added ability to differentiate true signals from noise transients, and conserves circuit design space by allowing for single sided/ended sensing.
(FR)L'invention concerne des structures et des procédés de signalisation grande vitesse sur des amplificateurs de courant unilatéraux/à sortie simple. Une hystérèses est introduite dans un amplificateur pseudo-différentiel distributeur de courant, ce qui permet de doter ce dernier de seuils modulables pour la détection de signaux valables couplés à l'élimination de transitoires dues au courant à faible bruit ou de réflexions et d'oscillations, lors de l'utilisation d'interconnexions de faible impédance et/ou de la signalisation de courant. Le circuit produit un temps de réponse rapide dans un environnement CMOS de faible puissance. Dans un premier mode de réalisation, un amplificateur de courant doté de premier et second amplificateurs couplés électriquement l'un à l'autre, est prévu. Chaque amplificateur comporte un premier transistor présentant une premier type de conductivité et un deuxième transistor présentant un deuxième type de conductivité, lesdits transistors étant couplés au niveau d'une zone de drain. Un seul noeud d'entrée de signal est couplé à une zone de source du premier transistor du premier amplificateur et reçoit un courant d'entrée de signal, un premier noeud de sortie de signal étant couplé à la zone de drain des premier et deuxième transistors du second amplificateur. Le premier noeud de sortie de signal est également couplé à une grille d'un troisième transistor. Un deuxième noeud de sortie de signal est couplé à la zone de drain des premier et deuxième transistors du premier amplificateur, et est couplé à une grille d'un quatrième transistor. Dans un mode de réalisation, un miroir de courant est couplé au noeud d'entrée de signal et aux zones de source des premiers transistors des premier et second amplificateurs. Des circuit intégrés, des système électriques, des méthodes de fonctionnement et des procédés de fabrication dudit amplificateur de courant de l'invention sont également décrits. Ledit amplificateur pseudo-différentiel de l'invention facilite l'introduction d'hystérèse, ce qui permet la différentiation des vrais signaux et des transitoires dues au bruit et de conserver l'espace de conception du circuit grâce à une détection à sortie simple/unilatérale.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)