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1. (WO2001018287) MONOCRISTAL EN SiC ET SON PROCEDE DE CROISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/018287    N° de la demande internationale :    PCT/JP2000/006056
Date de publication : 15.03.2001 Date de dépôt international : 06.09.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.02.2001    
CIB :
C30B 23/00 (2006.01), C30B 23/02 (2006.01)
Déposants : SIXON INC. [JP/JP]; 51-1-301, Shimogamominamishiba-machi, Sakyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 606-0841 (JP) (Tous Sauf US).
KANSAI ELECTRIC POWER C.C., INC. [JP/JP]; 3-3-22, Nakanoshima, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 530-8270 (JP) (Tous Sauf US).
MITSUBISHI CORPORATION [JP/JP]; 6-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8086 (JP) (Tous Sauf US).
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 541-0041 (JP) (Tous Sauf US).
SHIOMI, Hiromu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KIMOTO, Tsunenobu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MATSUNAMI, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SHIOMI, Hiromu; (JP).
KIMOTO, Tsunenobu; (JP).
MATSUNAMI, Hiroyuki; (JP)
Mandataire : HASEGAWA, Yoshiki; Soei Patent And Law Firm, Okura-honkan, 6-12, Ginza 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 104-0061 (JP)
Données relatives à la priorité :
11/251575 06.09.1999 JP
Titre (EN) SiC SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR GROWING THE SAME
(FR) MONOCRISTAL EN SiC ET SON PROCEDE DE CROISSANCE
Abrégé : front page image
(EN)A method for growing a SiC single crystal (40) of 6H polytype, characterized in that the SiC single crystal (40) of 6H polytype is grown on a seed crystal (30) comprising a SiC single crystal which exposes a {01-14} plane (30 u) or a plane being inclined from a {01-14} plane by an off angle $g (a) less than about 10°. The method for growing an SiC single crystal can reduce micropipe and stacking faults exposed onto the surface of the SiC single crystal, and thus an SiC single crystal prepared by the method is almost free of micropipe and stacking faults exposed onto the surface thereof.
(FR)L'invention concerne un procédé de croissance d'un monocristal (40) en SiC de polytype 6H, qui consiste à faire croître ledit monocristal (40) sur un cristal germe (30) comprenant un monocristal SiC qui présente un plan (30 u) à {01-14} ou un plan incliné par rapport à un plan à {01-14} selon un angle vif $g(a) inférieur à environ 10°. Le procédé de croissance d'un monocristal en SiC permet de réduire les défauts de microconduits et d'empilement sur sa surface. Le monocristal préparé selon ce procédé est quasiment exempt de défauts de microconduits et d'empilement sur sa surface.
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)