WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2001017079) APPAREIL OPTIQUE DE RAYONNEMENT PROCHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/017079    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/024335
Date de publication : 08.03.2001 Date de dépôt international : 30.08.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.03.2001    
CIB :
H01S 5/028 (2006.01), H01S 5/183 (2006.01)
Déposants : SIROS TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 101 Daggett Drive, San Jose, CA 95134 (US)
Inventeurs : THORNTON, Robert, L.; (US).
SHI, Xiaolei; (US)
Mandataire : D'ALESSANDRO, Kenneth; Sierra Patent Group, Ltd., P.O. Box 6149, Stateline, NV 89449 (US)
Données relatives à la priorité :
60/151,492 30.08.1999 US
Titre (EN) NEAR FIELD OPTICAL APPARATUS
(FR) APPAREIL OPTIQUE DE RAYONNEMENT PROCHE
Abrégé : front page image
(EN)A near field optical apparatus (14) comprising a conductive sheet or plane (16) having an aperture therein, with the conductive plane (16) including at least one protrusion (20) which extends into the aperture. The location, structure and configuration of the protrusion (20) or protrusions (20) can be controlled to provide desired near field localization of optical power output associated with the aperture. Preferably, the location, structure and configuration of the protrusion (20) are tailored to maximize near field localization at generally the center of the aperture. The aperture preferably has a perimeter dimension which is substantially resonant with the output wavelength of the light source, or is otherwise able to support a standing wave of significant amplitude. The apparatus (14) may be embodied in a vertical cavity surface emitting layer or VCSEL having enhanced near field brightness by providing a conductive layer on the laser emission facet, with a protrusion (20) of the conductive layer extending into an aperture in the emission facet. The aperture in the emission facet preferably has dimensions smaller than the guide mode of the laser, and the aperture preferably defines different regions of reflectivity under the emission facet. The depth of the aperture can be etched to provide a particular target loss, and results in higher optical power extraction from the emission facet.
(FR)Cet appareil optique de rayonnement proche (14) comprend une feuille ou plan conducteur (16) comportant au moins une partie saillante (20) s'étendant dans une ouverture. L'emplacement, la structure et l'agencement de (des) partie(s) saillante(s) (20) peuvent être réglés de manière à permettre la localisation voulue du rayonnement proche de la sortie de puissance optique associée à l'ouverture. De préférence, l'emplacement, la structure et l'agencement de la partie saillante (20) sont conçus sur mesure, aux fins de maximisation de la localisation du rayonnement proche, généralement au niveau du centre de l'ouverture. Cette ouverture comprend, de préférence, une dimension de périmètre sensiblement résonnante avec la longueur d'onde de sortie de la source lumineuse, ou bien elle peut d'une autre manière supporter une onde stationnaire de grande amplitude. Cet appareil (14) peut être incorporé dans un laser à émission par la surface et à cavité verticale possédant une brillance accrue en champ proche, par dépôt d'une couche conductrice sur la facette d'émission du laser, une portion saillante (20) de la couche conductrice s'étendant dans une ouverture de la facette d'émission. De préférence, l'ouverture ménagée dans la facette d'émission possède des dimensions plus petites que celles du mode de guidage du laser, et elle définit différentes régions de réflexion sous la facette d'émission. L'ouverture peut être creusée en profondeur par attaque chimique, de manière à présenter une perte de cible particulière, ce qui résulte en une plus grande extraction de puissance optique à partir de la facette d'émission.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)