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1. (WO2001017024) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TRANCHE DU TYPE SILICIUM SUR ISOLANT COLLEE ET TRANCHE DU TYPE SILICIUM SUR ISOLANT COLLEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/017024    N° de la demande internationale :    PCT/JP2000/005594
Date de publication : 08.03.2001 Date de dépôt international : 21.08.2000
CIB :
H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP) (Tous Sauf US).
AKIYAMA, Shoji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAMATSUKA, Masaro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : AKIYAMA, Shoji; (JP).
TAMATSUKA, Masaro; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; Uenosansei Bldg. 4F, 6-4, Motoasakusa 2-chome, Taito-ku, Tokyo 111-0041 (JP)
Données relatives à la priorité :
11/240946 27.08.1999 JP
2000/43764 22.02.2000 JP
Titre (EN) FABRICATION METHOD FOR PASTED SOI WAFER AND PASTED SOI WAFER
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TRANCHE DU TYPE SILICIUM SUR ISOLANT COLLEE ET TRANCHE DU TYPE SILICIUM SUR ISOLANT COLLEE
Abrégé : front page image
(EN)A fabrication method for a pasted SOI wafer, comprising the steps of growing a silicon single crystal bar by a Czochralski method, slicing the single crystal bar into silicon single crystal wafers, heat-treating the wafers at 1100 to 1300°C for at least one min under a non-oxidizing atmosphere, and continuously heat-treating, without cooling to below 700°C, at 700 to 1300°C for at least one min under an oxidizing atmosphere to fabricate silicon single crystal wafers formed on the front surfaces thereof with silicon oxidizing films, and using the wafers as bonding wafers; and a pasted SOI wafer fabricated by this method. Whereby, it is possible to obtain an SOI wafer with a minimum crystal defect, excellent in wafer surface roughness and having a high-quality SOI layer with a high productivity and high yield and at low costs.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une tranche du type silicium sur isolant collée, consistant à faire croître un barreau monocristallin de silicium selon la méthode de Czochralski, à découper le barreau monocristallin en tranches monocristallines de silicium, à soumettre lesdites tranches à un traitement thermique à 1100-1300 °C pendant au moins une minute, dans une atmosphère non oxydante, puis à un traitement thermique en continu, sans refroidissement au-dessous des 700 °C, à 700-1300 °C, pendant au moins une minute, dans une atmosphère oxydante de manière à fabriquer les tranches monocristallines de silicium formées sur leurs surfaces avant à l'aide de films oxydants de silicium, et à utiliser ces tranches comme tranches de liaison. L'invention concerne également une tranche du type silicium sur isolant collée obtenue selon ledit procédé. On peut ainsi obtenir une tranche du type silicium sur isolant caractérisée par des défauts de cristaux minimums, une excellente rugosité superficielle et une couche silicium sur isolant de haute qualité, et ce avec une productivité et un rendement élevés et à moindres coûts.
États désignés : KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)