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1. (WO2001017021) TRANSISTOR MOS ET CELLULE DE MEMOIRE A GRILLE EN TUNGSTENE ENCAPSULEE ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/017021    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/024271
Date de publication : 08.03.2001 Date de dépôt international : 31.08.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    27.03.2001    
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01)
Déposants : ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One And Place, Mail Stop 68, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US).
FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 211 (JP)
Inventeurs : CHANG, Chi; (US).
HUANG, Richard, J.; (US).
YOSHIE, Keizaburo; (JP).
SUN, Yu; (US)
Mandataire : COLLOPY, Daniel, R.; Advanced Micro Devices, Inc., One AMD Place, Mail Stop 68, P.O. Box 3453, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US).
PICKER, Madeline, Margaret; Brookes Batchellor, 101-108 Clerkenwell Road, London WC1M 5SA (GB)
Données relatives à la priorité :
60/152,126 02.09.1999 US
09/649,027 28.08.2000 US
Titre (EN) ENCAPSULATED TUNGSTEN GATE MOS TRANSISTOR AND MEMORY CELL AND METHOD OF MAKING SAME
(FR) TRANSISTOR MOS ET CELLULE DE MEMOIRE A GRILLE EN TUNGSTENE ENCAPSULEE ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN)A tungsten gate MOS transistor and a memory cell useful in flash EEPROM devices are fabricated by encapsulating the tungsten gate electrode contact of each of the MOS transistor and floating gate memory cell by silicon nitride capping and sidewall layers. The inventive methodology advantageously prevents deleterious oxidation during subsequent processing at high temperature and in an oxidizing ambient.
(FR)L'invention concerne un transistor MOS à grille en tungstène et une cellule de mémoire utiles pour des dispositifs EEPROM Flash. Ce transistor et cette cellule sont fabriqués par encapsulation du contact de grille en tungstène du transistor MOS et de la cellule de mémoire à grille flottante au moyen d'un revêtement de nitrure de silicium et de couches recouvrant les parois latérales. La méthodologie selon l'invention permet de prévenir avantageusement une oxydation délétère pendant un traitement consécutif à haute température et dans une atmosphère oxydante.
États désignés : CN, JP, KR, SG.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)