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1. (WO2001017015) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN ENSEMBLE DE CELLULES DE MEMOIRE RAM DYNAMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/017015    N° de la demande internationale :    PCT/DE2000/002647
Date de publication : 08.03.2001 Date de dépôt international : 08.08.2000
CIB :
H01L 21/8242 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, D-81541 München (DE) (Tous Sauf US).
GOEBEL, Bernd [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : GOEBEL, Bernd; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN & FISCHER GBR; Postfach 12 10 26, D-80034 München (DE)
Données relatives à la priorité :
199 41 401.7 31.08.1999 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER DRAM-ZELLENANORDNUNG
(EN) METHOD FOR PRODUCING A DRAM CELL ARRANGEMENT
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN ENSEMBLE DE CELLULES DE MEMOIRE RAM DYNAMIQUE
Abrégé : front page image
(DE)In einem Substrat (1) wird für einen Kondensator einer Speicherzelle der DRAM-Zellenanordnung eine Vertiefung (V) erzeugt. In der Vertiefung (V) werden eine Isolation (I) und ein Speicherknoten (SP) des Kondensators erzeugt. Über dem Speicherknoten (SP) wird ein Spacer aus Silizium erzeugt. Ein erster Teil des Spacers wird durch schräge Implantation dotiert. Unter Ausnutzung der unterschliedlichen Dotierung des ersten Teils des Spacers wird der Spacer strukturiert. Mit Hilfe des strukturierten Spacers als Maske, werden der Speicherknoten (SP) und die Isolation (I) derart verändert, dass der Speicherknoten (SP) nur in einem begrenzten Ausschnitt einer Flanke der Vertiefung (V) direkt an das Substrat (1) angrenzt und ansonsten durch die Isolation (I) vom Substrat (1) getrennt ist.
(EN)The invention relates to a DRAM cell arrangement. A cavity (V) for a capacitor of a storage cell pertaining to the DRAM cell arrangement is produced in a substrate (1). An insulation (I) and a storage node (SP) of the capacitor are generated in the cavity (V). A spacer consisting of silicon is produced over the storage node (SP). A first component of the spacer is doped by means of inclined implantation. The spacer is structured by using the different doping of the first component of the spacer. The storage node (SP) and the insulation (I) are changed by means of the structured spacer as a mask in such a way that the storage node (SP) is only directly adjacent to the substrate in a defined section of a flank pertaining to the cavity (V) and is otherwise separated from the substrate (1) by means of the insulation (I).
(FR)Selon l'invention, dans un substrat (1), un évidement (V) destiné à un condensateur de cellule de mémoire de l'ensemble de cellules de mémoire RAM dynamique est réalisé. Dans cet évidement (V) sont réalisés une isolation (I) et un noeud de mémoire (SP) du condensateur. Sur le noeud de mémoire (SP) est réalisé un espaceur en silicium. Une première partie de l'espaceur est dopée par implantation oblique. L'espaceur est structuré par exploitation du dopage différent de sa première partie. A l'aide de l'espaceur structuré utilisé comme masque, on modifie le noeud de mémoire (SP) et l'isolation (I) de telle sorte que le noeud de mémoire (SP) ne soit directement adjacent au substrat (1) que dans une section limitée d'un flanc de l'évidement (V) et que le reste du noeud de mémoire soit séparé du susbtrat (1) par l'isolation (I).
États désignés : JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)