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1. (WO2001017013) PROCEDE ET APPAREIL POUR FORMER UNE STRUCTURE DE METALLISATION SOUS LES BOSSES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/017013    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/040681
Date de publication : 08.03.2001 Date de dépôt international : 18.08.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    01.03.2001    
CIB :
H01L 21/60 (2006.01), H01L 23/485 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US).
LI, Jian [CN/US]; (US) (US Seulement).
MU, Xiao-Chun [US/US]; (US) (US Seulement).
BALAKRISHNAN, Sridhar [IN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LI, Jian; (US).
MU, Xiao-Chun; (US).
BALAKRISHNAN, Sridhar; (US)
Mandataire : MALLIE, Michael, J.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP, 12400 Wilshire Boulevard, 7th Floor, Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
09/389,162 02.09.1999 US
Titre (EN) A METHOD AND AN APPARATUS FOR FORMING AN UNDER BUMP METALLIZATION STRUCTURE
(FR) PROCEDE ET APPAREIL POUR FORMER UNE STRUCTURE DE METALLISATION SOUS LES BOSSES
Abrégé : front page image
(EN)Methods and apparatuses are disclosed for forming an under bump metallizaton structure that includes a refractory hydride layer. The refractory layer is formed during rapid thermal processing wherein ambient hydrogen is used in the thermal processing chamber. Rapid thermal processing may occur at a temperature approximately in the range of 350°C approximately 550°C.
(FR)L'invention concerne des procédés et des appareils pour former une couche réfractaire au cours d'un traitement thermique rapide dans lequel de l'hydrogène ambiant est utilisé dans la chambre de traitement thermique. Le traitement thermique rapide peut être réalisé à une température comprise approximativement entre 350 et 550 °C.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)