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1. (WO2001016653) NETTOYAGE DE MASQUES DE GRAVURE AU MOYEN D'UN FLUX DE GAZ TRAVERSANT LES ORIFICES DU MASQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/016653    N° de la demande internationale :    PCT/DE2000/002920
Date de publication : 08.03.2001 Date de dépôt international : 27.08.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    13.03.2001    
CIB :
B08B 3/10 (2006.01), B08B 5/00 (2006.01), G03F 1/00 (2012.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, 81541 München (DE) (Tous Sauf US).
EHRMANN, Albrecht [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : EHRMANN, Albrecht; (DE)
Mandataire : KINDERMANN, Peter; Postfach 13 30, Karl-Böhm-Strasse 1, 85627 Grasbrunn (DE)
Données relatives à la priorité :
199 41 399.1 31.08.1999 DE
Titre (DE) REINIGUNG VON STENCILMASKEN MIT HILFE EINER DURCH MASKENÖFFNUNGEN HINDURCHTRETENDEN GASSTRÖMUNG
(EN) CLEANING STENCIL MASKS WITH THE AID OF A GAS FLOW THAT PASSES THROUGH MASK OPENINGS
(FR) NETTOYAGE DE MASQUES DE GRAVURE AU MOYEN D'UN FLUX DE GAZ TRAVERSANT LES ORIFICES DU MASQUE
Abrégé : front page image
(DE)Beschrieben wird ein Verfahren zum Reinigen einer mit Mikropartikeln verunreinigten lithographischen Maske, die eine Membran mit strukturbildenden Membranöffnungen aufweist, für die Fertigung von vorzugsweise Halbleiterstrkturen. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, daß eine Strömung eines Fluids durch die Membran hindurch in der Weise hervorgerufen wird, daß auf einer Seite der Membran ein unter einem einheitlichen Druck stehender Vorrat eines Fluids bereitgestellt wird und dabei die Membran ganzflächig dem Fluid ausgesetzt wird, so daß das Fluid durch die strukturbildenden Membranöffnungen hindurchtritt und auf der anderen Seite der Membran aus dieser austritt und dabei die Mikropartikel zumindest aus den strukturbildenden Membranöffnungen entfernt. Durch dieses Verfahren wird eine für Stencilmasken äußerst effiziente Reinigungsmethode bereitgestellt.
(EN)The invention relates to a method for cleaning a lithographic mask used for manufacturing, preferably, semiconductor structures. Said lithographic mask is rendered unclean by microparticles and has a membrane provided with structure-forming membrane openings. The invention is characterized in that fluid is induced to flow through the membrane in such a way that a fluid supply placed under a uniform pressure is provided on one side of the membrane, and the membrane is exposed to the fluid in an all over manner so that the fluid passes through the structure-forming membrane openings and exits the membrane on the other side thereof, whereby the microparticles are flushed out of at least the structure-forming membrane openings. The invention provides an extremely efficient method for cleaning stencil masks.
(FR)L'invention concerne un procédé pour nettoyer un masque de gravure souillé par des microparticules et présentant une membrane qui comporte des orifices de structuration, ledit masque étant utilisé pour la production, de préférence, de structures semiconductrices. Ce procédé est caractérisé en ce qu'il consiste à faire passer un flux de fluide à travers la membrane de façon à obtenir, sur un côté de la membrane, une réserve de fluide soumise à une pression homogène, et à exposer toute la surface de la membrane à l'action du fluide afin que ce dernier passe à travers les orifices de structuration pratiqués dans la membrane, et de façon à ce que ledit fluide sorte de l'autre côté de la membrane, cette opération permettant d'éliminer au moins les microparticules présentes dans les orifices de structuration de ladite membrane. Ce procédé permet de nettoyer les masques de gravure de manière extrêmement efficace.
États désignés : CN, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)