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1. (WO2001016406) PREPARATION D'UN SILICIUM MONOCRISTALLIN PRESENTANT UN HISTORIQUE THERMIQUE UNIFORME
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/016406    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/022090
Date de publication : 08.03.2001 Date de dépôt international : 11.08.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    01.02.2001    
CIB :
C30B 15/00 (2006.01)
Déposants : MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC. [US/US]; 501 Pearl Drive, P.O. Box 8, Mail Zone MZ 33, St. Peters, MO 63376 (US)
Inventeurs : KOJIMA, Makoto; (US).
ISHII, Yasuhiro; (US)
Mandataire : HEJLEK, Edward, J.; Senniger, Powers, Leavitt & Roedel, One Metropolitan Square, 16th Floor, St. Louis, MO 63102 (US)
Données relatives à la priorité :
60/152,066 02.09.1999 US
09/596,493 19.06.2000 US
Titre (EN) PROCESS FOR PREPARING SINGLE CRYSTAL SILICON HAVING UNIFORM THERMAL HISTORY
(FR) PREPARATION D'UN SILICIUM MONOCRISTALLIN PRESENTANT UN HISTORIQUE THERMIQUE UNIFORME
Abrégé : front page image
(EN)A Czochralski method of producing a single crystal silicon ingot having a uniform thermal history. In the process, the power supplied to the side heater is maintained substantially constant throughout the growth of the main body and end-cone of the ingot, while power supplied to a bottom heater is gradually increased during the growth of the second half of the main body and the end-cone. The present process enables an ingot to be obtained which yields wafers having fewer light point defects in excess of about 0.2 microns, while having improved gate oxide integrity.
(FR)L'invention porte sur la production d'un lingot de silicium monocristallin présentant un historique thermique uniforme, au moyen de la technique Czochralski. Dans ce procédé, l'énergie fournie au dispositif de chauffage latéral est maintenue à un niveau sensiblement constant pendant toute la durée du tirage du corps principal et du cône terminal du lingot, tandis que l'énergie fournie au dispositif de chauffage inférieur est augmentée graduellement pendant le tirage de la seconde moitié du corps principal et du cône terminal. Ce procédé permet d'obtenir un lingot qui donne des plaquettes présentant un nombre réduit de défauts ponctuels au rayonnement de plus de 0,2 microns, tout en présentant une intégrité améliorée de l'oxyde de grille.
États désignés : CN, JP, KR, SG.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)