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1. (WO2001015274) SURFACE D'ABSORPTION ELECTROMAGNETIQUE A BASSE FREQUENCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/015274    N° de la demande internationale :    PCT/GB2000/003181
Date de publication : 01.03.2001 Date de dépôt international : 18.08.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.01.2001    
CIB :
H01Q 17/00 (2006.01)
Déposants : QINETIQ LIMITED [GB/GB]; 85 Buckingham Gate, London SW1 6TD (GB) (Tous Sauf US).
LAWRENCE, Chris, Robert [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
SAMBLES, John, Roy [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
HIBBINS, Alistair, Paul [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : LAWRENCE, Chris, Robert; (GB).
SAMBLES, John, Roy; (GB).
HIBBINS, Alistair, Paul; (GB)
Mandataire : BOWDERY, A., O.; Qinetiq Limited, IP Formalities, A4 Bldg., Cody Technology Park, Ively Road, Farnborough, Hampshire GU14 0LX (GB)
Données relatives à la priorité :
9920009.9 25.08.1999 GB
Titre (EN) LOW FREQUENCY ELECTROMAGNETIC ABSORPTION SURFACE
(FR) SURFACE D'ABSORPTION ELECTROMAGNETIQUE A BASSE FREQUENCE
Abrégé : front page image
(EN)A radiation absorber comprising a substrate having free charges capable of being driven to form resonance charge density oscillators and a dielectric layer coated onto said surface wherein the dielectric layer has a textured/patterned surface. The substrate is preferably metallic and the dielectric layer is waveform.
(FR)L'invention concerne un absorbeur de radiation comprenant un substrat ayant des charges libres pouvant être amenés à former des oscillateurs densité de charge de résonance et une couche diélectrique servant de revêtement à ladite surface où la couche diélectrique a une surface textured/patterned. Le substrat est de préférence métallique et la couche diélectrique est en forme d'onde.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)