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1. (WO2001015260) DEPHASEURS COPLANAIRES ACCORDABLES EN TENSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/015260    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/023023
Date de publication : 01.03.2001 Date de dépôt international : 22.08.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.03.2001    
CIB :
H01P 1/18 (2006.01)
Déposants : PARATEK MICROWAVE, INC. [US/US]; 6935-N Oakland Mills Road, Columbia, MD 21045 (US)
Inventeurs : KOZYREV, Andrey; (RU).
SENGUPTA, Louise, C.; (US).
ZHU, Yongfei; (US)
Mandataire : LENART, Robert, P.; Eckert Seamans Cherin & Mellott, LLC, 44th floor, 600 Grant Street, Pittsburgh, PA 15219 (US)
Données relatives à la priorité :
60/150,618 24.08.1999 US
Titre (EN) VOLTAGE TUNABLE COPLANAR PHASE SHIFTERS
(FR) DEPHASEURS COPLANAIRES ACCORDABLES EN TENSION
Abrégé : front page image
(EN)A phase shifter includes a substrate, a tunable dielectric film having a dielectric constant between 70 to 600, a tuning range of 20 to 60 %, and a loss tangent between 0.008 to 0.03 at K and Ka bands positioned on a surface of the substrate, a coplanar waveguide positioned on a surface of the tunable dielectric film opposite the substrate, an input for coupling a radio frequency signal to the coplanar waveguide, an output for receiving the radio frequency signal from the coplanar waveguide, and a connection for applying a control voltage to the tunable dielectric film. A reflective termination coplanar waveguide phase shifter including a substrate, a tunable dielectric film having a dielectric constant between 70 to 600, a tuning range of 20 to 60 %, and a loss tangent between 0.008 to 0.03 at K and Ka bands positioned on a surface of the substrate, first and second open ended coplanar waveguides positioned on a surface of the tunable dielectric film opposite the substrate, microstrip line for coupling a radio frequency signal to and from the first and second coplanar waveguides, and a connection for applying a control voltage to the tunable dielectric film.
(FR)Un déphaseur comprend un substrat, une couche mince diélectrique accordable ayant une constante diélectrique entre 70 et 600, une gamme d'accord de 20 à 60 % et une tangente de perte située entre 0,08 et 0,03 au niveau des bandes K et Ka positionnées sur une surface du substrat, un guide d'ondes coplanaire positionné sur une surface de la couche mince diélectrique accordable face au substrat, une entrée destinée au couplage d'un signal haute fréquence au guide d'ondes coplanaire, une sortie destinée à recevoir le signal haute fréquence du guide d'ondes coplanaire ainsi qu'une connexion destinée à appliquer une tension de commande à la couche mince diélectrique accordable. L'invention concerne également un déphaseur à guide d'ondes coplanaire à connexion réflective comprenant un substrat, une couche mince diélectrique accordable ayant une constante diélectrique située entre 70 et 600, une gamme d'accord de 20 à 60 %, et une tangente de perte située entre 0,08 et 0,03 au niveau des bandes K et Ka positionnées sur une surface du substrat, des premier et second guides d'ondes coplanaires à extrémité ouverte positionnés sur une surface de la couche mince diélectrique accordable située face au substrat, une ligne de microruban destinée à coupler un signal haute fréquence vers les premier et second guides d'ondes coplanaires et inversement, ainsi qu'une connexion destinée à appliquer une tension de commande à la couche mince diélectrique accordable.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)