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1. (WO2001015226) STRUCTURE DE BATIS DE CONDUCTEURS POUR LA FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS HYBRIDES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/015226    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/023058
Date de publication : 01.03.2001 Date de dépôt international : 23.08.2000
CIB :
H01L 23/495 (2006.01)
Déposants : GENERAL SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 10 Melville Park Road, Melville, NY 11747 (US)
Inventeurs : O'BRIEN, Tadhgh; (IE).
GUILLOT, Marie; (IE).
O'DONOGHUE, Finbarr; (IE).
MCAULIFFE, Owen; (IE)
Mandataire : MAYER, Stuart; Mayer, Fortkort & Williams, Suite 250, 200 Executive Drive, West Orange, NJ 07052 (US)
Données relatives à la priorité :
09/382,131 24.08.1999 US
Titre (EN) LEAD FRAME STRUCTURE FOR THE FABRICATION OF HYBRID SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) STRUCTURE DE BATIS DE CONDUCTEURS POUR LA FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS HYBRIDES
Abrégé : front page image
(EN)Two phase bridge rectifier, plastic encapsulated devices having four external terminal leads are batch fabricated using a workpiece of three stacked together generally planar lead frames wherein, at each of a plurality of device sites on the workpiece, two, two-chip stacks of semiconductor diode chips are provided. Each chip of each stack is sandwiched between a respective pair of bonding pads of either top and middle lead frames or middle and bottom lead frames. Each of the two bonding pads of the middle frame is connected to a respective one of a pair of integral terminal leads of the middle frame lying in the plane of the middle frame. An integral extension of one of the bonding pads of each of the top and bottom lead frames is bent out of the plane of its respective lead frame to include a flat terminal lead portion lying in the plane of the middle frame but not connected thereto. All four in-plane portions of the terminal leads include dam bars for use during device encapsulating; the dam bars from the top and bottom lead frames cooperating to form a single, in-plane dam bar. After encapsulation, individual devices are separated from the lead frame workpiece by severing ends of the four terminal leads from their respective lead frames.
(FR)La présente invention concerne des redresseurs à pont de deux phases encapsulés dans du plastique et comportant quatre points de connexion extérieurs. Ces redresseurs sont fabriqués par lots à partir d'une pièce empilant trois bâtis de conducteurs généralement plans. En chacun des différents sites du dispositif sur la pièce, on dispose de deux microcircuits à diode faits d'un empilement de deux microcircuits de semi-conducteurs. Chaque microcircuit de chaque pile est pris en sandwich entre une paire de plages de liaisons des bâtis de conducteurs du dessus et du milieu ou du milieu et du fond, suivant le cas. Chacune des plages de liaisons est reliée à l'une des paires de points de connexion intégrés du bâti du milieu dans le plan du bâti du milieu. Une extension de l'une des plages de liaison de chacun des bâtis de conducteurs du dessus et du dessous est recourbée hors du plan de son bâti de conducteur de façon à incorporer une partie du conducteur à borne plate dans le plan du bâti du milieu, mais sans y être connecté. Les quatre parties en plan des conducteurs à borne comportent des barres d'arrêt servant pendant l'opération d'encapsulation, les barres d'arrêt du dessus et du dessous coopérant de façon à former une unique barre d'arrêt dans le plan. Après encapsulation, chaque dispositif est séparé de la pièce du bâti de conducteur en cassant les extrémités des quatre conducteurs à borne de façon à les détacher de leurs bâtis de conducteurs respectifs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)