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1. (WO2001015223) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/015223    N° de la demande internationale :    PCT/JP2000/005596
Date de publication : 01.03.2001 Date de dépôt international : 22.08.2000
CIB :
H01L 21/56 (2006.01), H01L 23/31 (2006.01), H01L 23/498 (2006.01), H01L 25/065 (2006.01)
Déposants : ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 615-8585 (JP) (Tous Sauf US).
SHIBATA, Kazutaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SHIBATA, Kazutaka; (JP)
Mandataire : KAMEI, Hirokatsu; AI Association of Patent and Trademark Attorneys, Jyutakukinyukoko-Sumitomoseimei Building, 12F, 5-20, Minamihommachi 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 541-0054 (JP)
Données relatives à la priorité :
11/235619 23.08.1999 JP
11/235620 23.08.1999 JP
11/257589 10.09.1999 JP
11/292703 14.10.1999 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A method of manufacturing a semiconductor device provided with bump electrodes on the surface of a semiconductor substrate. The method includes the steps of forming bump electrodes on the surface of a semiconductor substrate, forming a protective resin layer over the whole surface area of the semiconductor substrate having the bump electrodes, grinding the back of the semiconductor substrate to reduce the thickness of the semiconductor substrate, and grinding the surface of the semiconductor substrate to expose the bump electrodes.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur muni d'électrodes à bosses sur la surface d'un substrat semi-conducteur. Le procédé consiste à former des électrodes sur la surface du substrat semi-conducteur, ainsi qu'une couche de résine de protection sur toute l'aire de la surface du substrat semi-conducteur comportant les électrodes à bosses, à meuler l'envers du substrat semi-conducteur de manière à réduire son épaisseur, ainsi que la surface de celui-ci afin de mettre à nu les électrodes à bosses.
États désignés : KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)