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1. (WO2001015219) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN CIRCUIT INTEGRE COMPORTANT AU MOINS UN PLAN DE METALLISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/015219    N° de la demande internationale :    PCT/DE2000/002811
Date de publication : 01.03.2001 Date de dépôt international : 18.08.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    20.02.2001    
CIB :
H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, D-81541 München (DE) (Tous Sauf US).
SCHWARZL, Siegfried [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
ENGELHARDT, Manfred [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
KREUPL, Franz [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : SCHWARZL, Siegfried; (DE).
ENGELHARDT, Manfred; (DE).
KREUPL, Franz; (DE)
Mandataire : VIERING, JENTSCHURA & PARTNER; Steinsdorfstrasse 6, D-80538 München (DE)
Données relatives à la priorité :
199 40 358.9 25.08.1999 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER INTEGRIERTEN SCHALTUNG MIT MINDESTENS EINER METALLISIERUNGSEBENE
(EN) METHOD FOR PRODUCING AN INTEGRATED CIRCUIT HAVING AT LEAST ONE METALICIZED SURFACE
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN CIRCUIT INTEGRE COMPORTANT AU MOINS UN PLAN DE METALLISATION
Abrégé : front page image
(DE)Zur Herstellung einer Metallisierungsebene mit Leitungen und Kontakten werden auf ein Substrat (4) dielektrische Schichten aufgebracht. Es erfolgt zunächst eine Kontaktlochätzung durch die obersten beiden dielektrischen Schichten in die darunterliegende dielektrische Schicht, wobei die verbleibende Dicke dieser Schicht im wesentlichen gleich der Dicke der obersten Schicknt ist. Anschließend erfolgt eine Leitungsgrabenätzung selektiv zu der ersten dielektrischen Schicht und der dritten dielektrischen Schicht, deren Oberfläche im wesentlichen gleichzeitig freigelegt werden. Nach Strukturierung der ersten dielektrischen Schicht und der dritten dielektrischen Schicht werden Kontakte und Leitungen in den Kontaktlöchern und Leitungsgräben erzeugt.
(EN)The invention relates to the production of a metalicized surface having conductors and contacts wherein dielectric layers are applied to a substrate (4). Contact holes are etched through the two upper-most dielectric layers extending as far as the dielectric layers which lie below. The remaining layer thickness is approximately the same as the thickness of the upper-most layer. Thereafter, trenches for the conductors are selectively etched into the first dielectric layer and the third dielectric layer whose surface is practically laid bare at the same time. After structuring of the first dielectric layer and the third dielectric layer has taken place, contacts and conductors are arranged in the contact holes and conductor trenches.
(FR)Selon l'invention, pour réaliser un plan de métallisation comportant des lignes et des contacts, on applique des couches diélectriques sur un substrat (4). On procède d'abord à la réalisation de trous de contact par attaque à travers les deux couches diélectriques supérieures, jusqu'à pénétration dans la couche diélectrique située sous ces deux couches, l'épaisseur restante de cette couche étant sensiblement égale à l'épaisseur de la couche supérieure. Ensuite on procède à la réalisation de tranchées de ligne par attaque sélective par rapport à la première couche diélectrique et à la troisième couche diélectrique dont les surfaces sont enlevées sensiblement simultanément. Après structuration de la première couche diélectrique et de la troisième couche diélectrique, on réalise les contacts et les lignes dans les trous de contact et dans les tranchées de ligne.
États désignés : CN, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)