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1. (WO2001015218) PROCEDE DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS POUR LA MICRO-ELECTRONIQUE ET SUBSTRATS OBTENUS PAR CE PROCEDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/015218    N° de la demande internationale :    PCT/FR2000/002331
Date de publication : 01.03.2001 Date de dépôt international : 17.08.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    16.03.2001    
CIB :
H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines, F-38190 Bernin (FR) (Tous Sauf US).
BARGE, Thierry [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
GHYSELEN, Bruno [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
IWAMATSU, Toshiaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NARUOKA, Hideki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FURIHATA, Junichiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MITANI, Kiyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : BARGE, Thierry; (FR).
GHYSELEN, Bruno; (FR).
IWAMATSU, Toshiaki; (JP).
NARUOKA, Hideki; (JP).
FURIHATA, Junichiro; (JP).
MITANI, Kiyoshi; (JP)
Mandataire : MARTIN, Jean-Jacques; Cabinet Regimbeau, 20, rue de Chazelles, F-75847 Paris Cedex 17 (FR)
Données relatives à la priorité :
99/10668 20.08.1999 FR
Titre (EN) METHOD FOR TREATING SUBSTRATES FOR MICROELECTRONICS AND SUBSTRATES OBTAINED BY SAID METHOD
(FR) PROCEDE DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS POUR LA MICRO-ELECTRONIQUE ET SUBSTRATS OBTENUS PAR CE PROCEDE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method for treating substrates (1) for microelectronics or opto-electronics, comprising a useful layer (6) which is at least partially composed of an oxidable material on at least one of the surfaces thereof. The inventive method consists of a first sacrificial oxidation phase whereby a certain thickness of the material making up the useful layer (6) can be removed from the surface of each substrate (1); a phase (200) in which the surface which underwent the first stage of sacrificial oxidation is polished; and a third sacrificial oxidation phase whereby material making up the useful layer (6) is removed once more from the polished surface (17).
(FR)L'invention concerne un procédé de traitement de substrats (1) pour la micro-électronique ou l'opto-électronique, comportant une couche utile (6) au moins en partie composée d'un matériau oxydable, sur au moins une de leurs faces, ce procédé comprenant: une première étape d'oxydation sacrificielle pour retirer du matériau constitutif de la couche utile (6), sur une certaine épaisseur en surface de chaque substrat (1), une étape de polissage (200) de la face ayant subi la première étape d'oxydation sacrificielle, et une deuxième étape d'oxydation sacrificielle pour retirer encore du matériau constitutif de la couche utile (6), sur la face polie (17).
États désignés : JP, KR, SG, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)