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1. (WO2001015217) PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE AUX PROPRIETES ELECTRIQUES REGLABLES SELON LE PROCEDE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/015217    N° de la demande internationale :    PCT/DE2000/002899
Date de publication : 01.03.2001 Date de dépôt international : 24.08.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.03.2001    
CIB :
H01L 21/66 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasee 53 81541 München (DE) (Tous Sauf US).
PÜSCHNER, Frank [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HÄRING, Martin [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : PÜSCHNER, Frank; (DE).
HÄRING, Martin; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN & FISCHER GBR; Postfach 12 10 26, 80034 München (DE)
Données relatives à la priorité :
199 40 560.3 26.08.1999 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERCHIPS MIT NACH DEM SILICIUMPROZESS EINSTELLBARER ELEKTRISCHER EIGENSCHAFT
(EN) METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR CHIP WITH AN ELECTRICAL PROPERTY THAT CAN BE ADJUSTED AFTER THE SILICON PROCESS
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE AUX PROPRIETES ELECTRIQUES REGLABLES SELON LE PROCEDE DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(DE)Auf die fertigen Schaltungen wird nach dem Test jeweils eine individuell dimensionierte, externe leitende Schicht aufgebracht, so daß die nach dem Siliciumprozess innerhalb der Vielzahl der Schaltungen zunächst unzulässig variierenden Werte einer bestimmten elektrischen Eigenschaft der Schaltungen auf einen gewünschten, im Wesentlichen einheitlichen Wert eingestellt werden. Die individuelle Dimensionierung der externen Schicht erfolgt in Abhängigkeit vom jeweils festgestellten elektrischen Testwert. Durch die nachträgliche Justierung erübrigt sich ein Redesign.
(EN)According to the invention, an individually dimensioned, external conductive layer is applied to the finished circuits, respectively, after testing. The values for a particular electrical characteristic of the circuits, which vary unreliably among the multiple circuits at first after the silicon process, can then be adjusted to a chosen, essentially uniform value. The external layer is dimensioned individually in accordance with the electrical test value established, respectively. This post-adjustment renders redesigning unnecessary.
(FR)On applique sur les circuits finis, après les avoir soumis à un test, respectivement une couche conductrice externe au dimensionnement individuel de telle façon que les valeurs d'une propriété électrique déterminée des circuits, ces valeurs variant d'abord de façon inadmissible d'après le procédé de silicium, sont réglées à une valeur souhaitée sensiblement uniforme. Le dimensionnement individuel de la couche externe s'effectue en fonction de la valeur d'essai électrique respectivement constatée. Le réglage ultérieur rend toute reprise de conception superflue.
États désignés : BR, CN, IN, JP, KR, MX, RU, UA, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)