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1. (WO2001015216) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/015216    N° de la demande internationale :    PCT/JP2000/004318
Date de publication : 01.03.2001 Date de dépôt international : 29.06.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    29.06.2000    
CIB :
H01L 21/48 (2006.01), H01L 21/56 (2006.01), H01L 23/482 (2006.01), H01L 23/495 (2006.01)
Déposants : HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6, Kanda Surugadai 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101-8010 (JP) (Tous Sauf US).
HIRASHIMA, Toshinori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKAHASHI, Yasushi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAJIWARA, Ryoichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOIZUMI, Masahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KISHIMOTO, Munehisa [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HIRASHIMA, Toshinori; (JP).
TAKAHASHI, Yasushi; (JP).
KAJIWARA, Ryoichi; (JP).
KOIZUMI, Masahiro; (JP).
KISHIMOTO, Munehisa; (JP)
Mandataire : AKITA, Shuki; Twintabata Building B, 2nd Floor, 13-9, Higashi-Tabata 1-chome, Kita-ku, Tokyo 114-0013 (JP)
Données relatives à la priorité :
11/238859 25.08.1999 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device comprises a semiconductor chip including a first surface on which a first electrode and a second electrode are formed and a second surface opposed to the first surface and on which a third electrode is formed; a first lead having a first part located on the first electrode and a second part located outside the semiconductor chip; a second lead having a first part located on the second electrode and a second part located outside the semiconductor chip; a plurality of projecting electrodes located between the first part of the first lead and the first electrode and between the first part of the second lead and the second electrode to connect corresponding electrodes and parts of the leads electrically; and an insulating sheet formed between the first part of the first lead and the first surface of the semiconductor chip and between the first part of the second lead and the first surface of the semiconductor chip to cover the whole first surface of the semiconductor chip except the areas where the projecting electrodes are arranged.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant une microplaquette semi-conductrice qui présente une première surface sur laquelle sont formées une première et une deuxième électrodes, ainsi qu'une seconde surface, opposée à la première, sur laquelle est formée une troisième électrode; un premier conducteur ayant une première partie placée sur la première électrode et une seconde partie placée à l'extérieur de la microplaquette; un second conducteur ayant une première partie placée sur la deuxième électrode et une seconde partie placée à l'extérieur de la microplaquette; une pluralité d'électrodes en saillie placées entre la première partie du premier conducteur et la première électrode et entre la première partie du second conducteur et la deuxième électrode de façon à relier électriquement les électrodes et les parties des conducteurs correspondantes; et une feuille isolante formée entre la première partie du premier conducteur et la première surface de la microplaquette et entre la première partie du second conducteur et la première surface de la microplaquette de façon à couvrir l'ensemble de la première surface de la microplaquette, à l'exception des zones d'emplacement des électrodes en saillie.
États désignés : CN, KR, SG, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)