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1. (WO2001015212) APPAREIL DE TRAITEMENT AU PLASMA ET PROCEDE DE TRAITEMENT AU PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/015212    N° de la demande internationale :    PCT/JP2000/005408
Date de publication : 01.03.2001 Date de dépôt international : 11.08.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.02.2001    
CIB :
H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
TOMOYASU, Masayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TOMOYASU, Masayuki; (JP)
Mandataire : SATO, Kazuo; Kyowa Patent & Law Office, Fuji Building, Room 323, 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
Données relatives à la priorité :
11/234198 20.08.1999 JP
Titre (EN) PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF PLASMA PROCESSING
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT AU PLASMA ET PROCEDE DE TRAITEMENT AU PLASMA
Abrégé : front page image
(EN)A plasma processing apparatus and a method of plasma processing using a high-density plasma and adaptable to further microminiaturization are provided, which are capable of reducing the nonuniformness of the electric field distribution on the surface of an electrode and uniforming the plasma density. A first and a second electrode (21, 5), are opposed to each other in a chamber. A feeding plate (52) is arranged very close to the surface, opposite to the surface facing to the second electrode (5), of the first electrode (21) which is a feeding surface. A feeding rod (51) is connected to the feeding plate (52) in a position radially deviating from the center of the feeding surface of the first electrode (21). The feeding plate (52) is rotated to rotate the feeding position of the feeding rod (51) over the feeding plane of the first electrode (21). By feeding in such a way, a high frequency field is produced between the first and the second electrodes (21, 5) to perform a plasma processing of a wafer W.
(FR)Cette invention se rapporte à un appareil et à un procédé de traitement au plasma, qui utilisent un plasma haute densité et qui sont susceptibles d'une microminiaturisation supplémentaire. Cet appareil et ce procédé sont capables de réduire la non-uniformité de la répartition du champ électrique sur la surface d'une électrode et d'uniformiser la densité de plasma. A cet effet, une première et une seconde électrode (21, 5) sont placées en position opposée l'une par rapport à l'autre dans une chambre. Une plaque d'alimentation (52) est placée très proche de la surface de la première électrode (21), qui constitue une surface d'alimentation, cette surface étant opposée à la surface située face à la seconde électrode (5). Une tige d'alimentation (51) est reliée à la plaque d'alimentation (52) dans une position radialement éloignée du centre de la surface d'alimentation de la première électrode (21). La plaque d'alimentation (52) est mise en rotation, pour que la position d'alimentation de la tige d'alimentation (51) tourne sur le plan d'alimentation de la première électrode (21). Grâce à une alimentation ainsi conçue, un champ haute fréquence est produit entre la première et la seconde électrode (21, 5), ce qui permet d'obtenir un traitement au plasma d'une plaquette de semi-conducteur W.
États désignés : KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)