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1. (WO2001014933) PROCEDE DE SILYLATION DESTINE A REDUIRE LA PERTE DE DIMENSION CRITIQUE ET LA PERTE DE RESIST
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/014933    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/021537
Date de publication : 01.03.2001 Date de dépôt international : 07.08.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    11.01.2001    
CIB :
H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES NORTH AMERICA CORP. [US/US]; 1730 North First Street, San Jose, CA 95112-6000 (US).
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NY 10504 (US)
Inventeurs : LU, Zhijian; (US).
MOREAU, Wayne; (US)
Mandataire : PASCHBURG, Donald, B.; Siemens Corporation - Intellectual Property Dept., 186 Wood Avenue South, Iselin, NJ 08830 (US).
Westphal, Mussgnug & Partner; Waldstrasse 33, D-78048 Villingen-Schwenningen (DE)
Données relatives à la priorité :
09/382,933 25.08.1999 US
Titre (EN) SILYLATION METHOD FOR REDUCING CRITICAL DIMENSION LOSS AND RESIST LOSS
(FR) PROCEDE DE SILYLATION DESTINE A REDUIRE LA PERTE DE DIMENSION CRITIQUE ET LA PERTE DE RESIST
Abrégé : front page image
(EN)A method for reducing critical dimension loss and resist loss dimensions during etching includes providing a dielectric layer (12) having an anti-reflection layer (14) formed thereon and patterning a resist layer (16) on the anti-reflection layer. The resist layer is exposed to an agent including silicon, and the agent is reacted with the resist to form a silylation region (18) on exposed surfaces of the resist layer. The anti-reflection layer is etched by employing the silylation regions as an etch mask wherein the silylation regions have a greater resistance to etching than the antireflection layer and the resist layer.
(FR)Un procédé de réduction de la perte de dimension critique et des dimensions de perte de résist pendant la gravure consiste à utiliser une couche diélectrique (12) sur laquelle est formée une couche antireflet (14) et à tracer le motif d'une couche de résist (16) sur la couche antireflet. La couche de résist est exposée à un agent contenant du silicium et l'agent est mis à réagir avec le résist pour former une région de silylation (18) sur les surfaces exposées de la couche de résist. La couche antireflet est gravée par utilisation des régions de silylation en tant que masque de gravure dans lequel les régions de silylation ont une résistance à la gravure supérieure à celle de la couche antireflet et de la couche de résist.
États désignés : CN, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)