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1. (WO2001014248) PROCEDE D'ASSEMBLAGE POUR STRUCTURES SILICONEES DELICATES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/014248    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/040661
Date de publication : 01.03.2001 Date de dépôt international : 16.08.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.03.2001    
CIB :
B81B 3/00 (2006.01), B81B 7/00 (2006.01), B81C 1/00 (2006.01)
Déposants : KNOWLES ELECTRONICS, LLC [US/US]; 1151 Maplewood Drive, Itasca, IL 60143 (US)
Inventeurs : PEDERSEN, Michael; (US).
LOEPPERT, Peter, V.; (US)
Mandataire : MORNEAULT, Monique, A.; Wallenstein & Wagner, Ltd., 311 South Wacker Drive - 5300, Chicago, IL 60606-6622 (US)
Données relatives à la priorité :
09/379,414 24.08.1999 US
Titre (EN) ASSEMBLY PROCESS FOR DELICATE SILICON STRUCTURES
(FR) PROCEDE D'ASSEMBLAGE POUR STRUCTURES SILICONEES DELICATES
Abrégé : front page image
(EN)A method for fabrication of silicon structures is disclosed. The method includes providing an acoustic transducer having a perforated member spaced from a diaphragm. Between the perforated member and the diaphragm is a sacrificial layer. After attaching the transducer to a carrier, the sacrificial layer is removed.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication de structures siliconées. On prend un transducteur acoustique présentant un élément perforé écarté d'une membrane. Une couche sacrificielle se trouve entre l'élément perforé et la membrane. Une fois que le transducteur est solidaire de la membrane, on retire la couche sacrificielle.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)