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1. (WO2001013435) PHOTOTRANSISTOR A HETEROJONCTION GAN/ALGAN A GAIN ELEVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/013435    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/022474
Date de publication : 22.02.2001 Date de dépôt international : 17.08.2000
CIB :
H01L 31/0304 (2006.01), H01L 31/11 (2006.01)
Déposants : HONEYWELL INC. [US/US]; 101 Columbia Avenue, P.O. Box 2245, Morristown, NJ 07960 (US)
Inventeurs : YANG, Wei; (US).
KRISHNANKUTTY, Subash; (US).
MARSH, Holly, A.; (US).
TORREANO, Robert, C.; (US).
MCPHERSON, Scott, A.; (US).
NOHAVA, Thomas, E.; (US)
Mandataire : HOIRIIS, David; Honeywell Inc., 101 Columbia Avenue, P.O. Box 2245, Morristown, NJ 07960 (US)
Données relatives à la priorité :
09/376,114 17.08.1999 US
Titre (EN) HIGH GAIN GAN/ALGAN HETEROJUNCTION PHOTOTRANSISTOR
(FR) PHOTOTRANSISTOR A HETEROJONCTION GAN/ALGAN A GAIN ELEVE
Abrégé : front page image
(EN)A GaN/AlGaN heterojunction bipolar phototransistor having AlGaN contact, i-GaN absorbing, p-GaN base and n-GaN emitter layers formed, in that order, on a UV transparent substrate. The phototransistor has a gain greater than 10?5¿. From 360 nm to 400 nm, eight orders of magnitude drop in responsivity were achieved. The phototransistor features a rapid electrical quenching of persistent photoconductivity, and exhibits high dark impedance and no DC drift. By changing the frequency of the quenching cycles, the detection speed of the phototransistor can be adjusted to accommodate specific applications. These results represent an internal gain UV detector with significantly improved performance over GaN based photo conductors.
(FR)L'invention concerne un phototransistor bipolaire à hétérojonction GaN/AlGaN possédant un contact AlGaN, une couche absorbante i-GaN, une base p-GaN et une couche émettrice n-GaN, formée dans l'ordre précité sur un substrat transparent aux U.V. Le phototransistor possède un gain supérieur à 10(5). Entre 360 nm et 400, on a obtenu une chute du coefficient de réponse de huit ordres de grandeur. Le phototransistor est caractérisé par un affaiblissement électrique rapide de la photoconductivité existante et manifeste une impédance sans éclairage élevée et aucune dérive de c.c. En modifiant la fréquence des cycles d'affaiblissement, on arrive à régler la vitesse de détection du phototransistor pour répondre aux applications spécifiques. Les résultats permettent de construire un détecteur U.V. à gain interne présentant des performances sensiblement améliorées par rapport aux photoconducteurs basés sur GaN.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)