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1. (WO2001013432) DISPOSITIFS DE DETECTION UTILISANT DES TRANSISTORS A EFFET QUANTIQUE A DECLENCHEMENT CHIMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/013432    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/022747
Date de publication : 22.02.2001 Date de dépôt international : 18.08.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    05.02.2001    
CIB :
G01N 27/414 (2006.01), G01N 33/543 (2006.01)
Déposants : NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY [US/US]; 1 Holladay Hall, Campus Box 7003, Raleigh, NC 27695 (US)
Inventeurs : FELDHEIM, Daniel, L.; (US).
BROUSSEAU, Louis, C., III; (US)
Mandataire : MYERS BIGEL SIBLEY & SAJOVEC; P.O. Box 37428, Raleigh, NC 27627 (US)
Données relatives à la priorité :
09/376,695 18.08.1999 US
Titre (EN) SENSING DEVICES USING CHEMICALLY-GATED SINGLE ELECTRON TRANSISTORS
(FR) DISPOSITIFS DE DETECTION UTILISANT DES TRANSISTORS A EFFET QUANTIQUE A DECLENCHEMENT CHIMIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A chemically-gated single-electron transistor (60) having a predetermined current-voltage characteristic and adapted for use as a chemical or biological sensor that is operable at room temperature. The single-electron transistor comprises a substrate (SuB) formed of a first insulating material, source (S) and drain (D) electrodes disposed on the substrate, and a metal nanoparticle (L) disposed between the source and drain electrodes that has a spatial dimension of a magnitude of approximately 12 nm or less. An analyte-specific binding agent is disposed on a surface of the nanoparticle. A binding event occurring between a target analyte and the binding agent causes a detectable change in the current-voltage characteristic.
(FR)L'invention concerne un transistor (60) à effet quantique à déclenchement chimique, comportant une caractéristique courant-tension prédéterminée et conçu pour être utilisé comme capteur chimique ou biologique fonctionnant à température ambiante. Le transistor à effet quantique comporte un substrat (Sub) constitué d'une première matière isolante, des électrodes de source (S) et de drain (D) placées sur le substrat, et une nanoparticule (L) métallique, placée entre les électrodes de source et de drain, qui présente une dimension spatiale approximativement égale ou inférieure à 12 nm. Un agent de liaison spécifique d'analyte est placé sur une surface de la nanoparticule. Un événement de liaison se produisant entre un analyte voulu et l'agent de liaison provoque une modification détectable de la caractéristique courant-tension.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)