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1. (WO2001013413) AMELIORATION DE L'ELIMINATION DE LA PHOTORESINE PAR EXPOSITION EN COURS DE REPRISE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2001/013413 N° de la demande internationale : PCT/US2000/006617
Date de publication : 22.02.2001 Date de dépôt international : 14.03.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 13.02.2001
CIB :
G03F 7/40 (2006.01) ,G03F 7/42 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01) ,H01L 21/311 (2006.01)
Déposants : ADVANCED MICRO DEVICES, INC.[US/US]; Mail Stop 68 One AMD Place Sunnyvale, CA 94088-3453, US
Inventeurs : RANGARAJAN, Bharath; US
QUINTO, Ursula, Q.; US
SINGH, Bhanwar; US
Mandataire : RODDY, Richard, J.; Advanced Micro Devices, Inc. One AMD Place Mail Stop 68 Sunnyvale, CA 94088-3453, US
BROOKES & MARTIN; 102-108 Clerkenwell Road London EC1M 5SA, GB
Données relatives à la priorité :
09/373,57113.08.1999US
Titre (EN) EXPOSURE DURING REWORK FOR ENHANCED RESIST REMOVAL
(FR) AMELIORATION DE L'ELIMINATION DE LA PHOTORESINE PAR EXPOSITION EN COURS DE REPRISE
Abrégé : front page image
(EN) A resist removal method provides for analyzing a patterned resist and determining if rework needs to be performed due to the pattern being incorrect. If the pattern is incorrect, the entire upper surface of the patterned resist is exposed to mild UV light. The exposed patterned resist is then subjected to a developer, such as an alkaline bath, such that the exposed patterned resist is dissolved away from the substrate, and such that a new layer of resist can be applied and then patterned.
(FR) La présente invention concerne un procédé d'élimination de la photorésine pour lequel on commence par vérifier l'état des tracés de photorésine, puis on décide si la mauvaise qualité de ces tracés de photorésine nécessite une reprise. Si le tracé n'est pas bon, on expose à une lumière UV douce la totalité de la face supérieure du tracé en photorésine. On soumet alors le tracé de photorésine exposé à un développeur tel qu'un bain alcalin, de façon, d'abord que le tracé en photorésine exposé se dissolve et se détache du substrat, puis qu'on puisse appliquer une nouvelle couche de photorésine selon le tracé.
États désignés : JP, KR
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)