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1. (WO2001013404) PIECES REVETUES DE DIAMANT DANS UN REACTEUR A PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/013404    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/040651
Date de publication : 22.02.2001 Date de dépôt international : 15.08.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.02.2001    
CIB :
C23C 16/27 (2006.01), H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; P.O. Box 450 A, Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventeurs : HAN, Nianci; (US).
SHIH, Hong; (US).
SUN, Jennifer, Y.; (US).
XU, Li; (US)
Mandataire : BERNADICOU, Michael, A.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP, 7th floor, 12400 Wilshire Boulevard, Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
09/375,243 16.08.1999 US
Titre (EN) DIAMOND COATED PARTS IN A PLASMA REACTOR
(FR) PIECES REVETUES DE DIAMANT DANS UN REACTEUR A PLASMA
Abrégé : front page image
(EN)A diamond coating formed on a bulk member used in a plasma processing chamber for processing a substrate such as a semiconductor wafer. The coating is particularly useful in a plasma etching chamber using a chlorine-based chemistry to etch metal. One class of such parts includes a dielectric chamber wall, in particular, a chamber wall through which RF or microwave energy is coupled into the chamber to support the plasma. For example, an RF inductive coil is positioned outside the chamber wall and inductively couples energy into the chamber. Exemplary substrates for the diamond coating include alumina, silicon nitride, silicon carbide, polysilicon, and a SiC/Si composite. Amorphous carbon may be substituted for diamond.
(FR)L'invention concerne un revêtement de diamant formé sur une pièce de série utilisée dans une chambre de traitement au plasma, destinée à traiter un substrat tel qu'une plaquette semi-conductrice. Le revêtement trouve son application notamment dans une chambre d'attaque au plasma utilisant des processus chimiques à base de chlore pour attaquer le métal. Une classe de pièces de ce genre comprend une paroi de chambre diélectrique, en particulier, une paroi de chambre au moyen de laquelle une énergie RF ou micro-onde est connectée dans la chambre pour supporter le plasma. Par exemple, une bobine d'induction RF est positionnée à l'extérieur de la paroi de la chambre et connecte par induction l'énergie dans la chambre. A titre d'exemple, on mentionne comme substrats pour le revêtement de diamant: l'alumine, le nitrure de silicium, le polysilicium et un composite SiC/Si. Le diamant peut être remplacé par du carbone amorphe.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)