WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2001011675) PROCEDE DE FORMATION DE STRUCTURES ETROITES A L'AIDE D'UN PROCESSUS A DOUBLE DAMASQUINAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/011675    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/006616
Date de publication : 15.02.2001 Date de dépôt international : 14.03.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    14.02.2001    
CIB :
H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; Mail Stop 68, One AMD Place, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US)
Inventeurs : ISHIDA, Emi; (US).
LUNING, Scott; (US).
THURGATE, Tim; (US)
Mandataire : RODDY, Richard, J.; Advanced Micro Devices, Inc., One AMD Place, Mail Stop 68, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US).
PICKER, MADELINE, MARGARET; Brookes Batchellor, 102-108 Clerkenwell Road, Lomdon EC1M 5SA (GB)
Données relatives à la priorité :
60/148,395 11.08.1999 US
09/426,911 26.10.1999 US
Titre (EN) METHOD TO FORM NARROW STRUCTURES USING DOUBLE-DAMASCENE PROCESS
(FR) PROCEDE DE FORMATION DE STRUCTURES ETROITES A L'AIDE D'UN PROCESSUS A DOUBLE DAMASQUINAGE
Abrégé : front page image
(EN)A narrow groove is formed over a substrate. To form such a narrow groove, a first material is formed over a substrate, the first material having a sidewall. A spacer is formed abutting the sidewall. Subsequently a second material is formed adjacent to the spacer. The spacer is removed leaving a groove between the first material and second material. In one embodiment, the groove is filled with material for a narrow feature, such as a gate, and the first material and second material are removed. As a result a gate or other narrow feature is formed having a length defined by the width of a spacer. In another embodiment, an implant is performed through the small groove, resulting in a small localized implant.
(FR)Une gorge étroite est formée sur un substrat. Dans ce but, un premier matériau est déposé sur un substrat. Ce premier matériau comporte une paroi latérale. Un élément d'espacement est formé et placé en bout à bout contre ladite paroi. Ensuite, un deuxième matériau est formé de manière adjacente à l'élément d'espacement. Ce dernier est retiré, ce qui laisse une gorge formée entre le premier et le deuxième matériaux. Selon un mode de réalisation, la gorge est remplie d'un matériau pour former un élément étroit, comme une porte, puis le premier et le deuxième matériaux sont retirés. Par conséquent, on obtient une porte ou un autre élément étroit qui présente une longueur définie par la largeur de l'élément d'espacement. Selon un autre mode de réalisation, un implant est placé dans la gorge, ce qui permet d'obtenir un petit implant localisé.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)