WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2001009996) STRUCTURES A SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UN SYSTEME QUATERNAIRE DE COMPOSANTS A BASE DE NITRURES D'ELEMENTS DU GROUPE III
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/009996    N° de la demande internationale :    PCT/IB2000/000813
Date de publication : 08.02.2001 Date de dépôt international : 01.03.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    02.10.2000    
CIB :
H01L 31/103 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01), H01S 5/323 (2006.01), H01S 5/343 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. (MEI) [JP/JP]; Kadoma, Osaka 571 (JP)
Inventeurs : TAKAYAMA, Toru; (US).
BABA, Takaaki; (US).
HARRIS, James, E., Jr.; (US)
Données relatives à la priorité :
09/365,105 30.07.1999 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURES USING A GROUP III-NITRIDE QUATERNARY MATERIAL SYSTEM
(FR) STRUCTURES A SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UN SYSTEME QUATERNAIRE DE COMPOSANTS A BASE DE NITRURES D'ELEMENTS DU GROUPE III
Abrégé : front page image
(EN)A group III-nitride quaternary material system and method is disclosed for use in semiconductor structures, including laser diodes, transistors, and photodetectors, which reduces or eliminates phase separation and provides increased emission efficiency and reliability. In an exemplary embodiment the semiconductor structure includes a first GaAINAs layer of a first conduction type formed substantially without phase separation, an GaAINAs active layer substantially without phase separation, and a third GaAINAs layer of an opposite conduction type formed substantially without phase separation.
(FR)L'invention concerne un système quaternaire comprenant des composants à base de nitrures du groupe III et un procédé portant sur l'utilisation de ces systèmes dans des structures à semi-conducteur, notamment les diodes laser, les transistors et les photodétecteurs. Ces systèmes permettent de réduire ou d'éliminer la séparation de phases et d'améliorer le rendement d'émission et la fiabilité. Dans une forme d'exécution donnée en exemple, cette structure à semi-conducteur comprend une première couche GaAINAs présentant un premier type de conduction, sensiblement exempte de séparation de phases, une couche active GaAINAs sensiblement exempte de séparation de phases et une troisième couche GaAINAs présentant une conduction du type opposé, sensiblement exempte de séparation de phases.
États désignés : CN, JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)