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1. (WO2001009968) STRUCTURES ET TECHNIQUES DE FABRICATION POUR DES DISPOSITIFS ELECTROCHIMIQUES A SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/009968    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/020889
Date de publication : 08.02.2001 Date de dépôt international : 28.07.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    20.02.2001    
CIB :
B01D 53/32 (2006.01), C25B 9/00 (2006.01), H01M 8/12 (2006.01), H01M 8/24 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; One Cyclotron Road, Berkeley, CA 94720 (US) (Tous Sauf US).
VISCO, Steven, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
JACOBSON, Craig, P. [US/US]; (US) (US Seulement).
DEJONGHE, Lutgard, C. [BE/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : VISCO, Steven, J.; (US).
JACOBSON, Craig, P.; (US).
DEJONGHE, Lutgard, C.; (US)
Mandataire : AUSTIN, James, E.; Beyer Weaver & Thomas, LLP, P.O. Box 130, Mountain View, CA 94042-0130 (US)
Données relatives à la priorité :
60/146,769 31.07.1999 US
09/626,629 27.07.2000 US
Titre (EN) STRUCTURES AND FABRICATION TECHNIQUES FOR SOLID STATE ELECTROCHEMICAL DEVICES
(FR) STRUCTURES ET TECHNIQUES DE FABRICATION POUR DES DISPOSITIFS ELECTROCHIMIQUES A SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)Provided are low-cost, mechanically strong, highly electronically conductive porous substrates and associated structures for solid-state electrochemical devices, techniques for forming these structures, and devices incorporating the structures. The invention provides solid state electrochemical device substrates (548) of novel composition and techniques for forming thin electrode/membrane/electrolyte coatings (546/544) on the novel or more conventional substrates. In particular, in one embodiment the invention provides techniques for co-firing of device substrate (548) (often an electrode) with an electrolyte or membrane layer (544) to form densified electrolyte/membrane films 5 to 20 microns thick. In another embodiment, densified electrolyte/membrane films 5 to 20 microns thick may be formed on a pre-sintered substrate by a constrained sintering process. In some cases, the substrate (548) may be a porous metal, alloy, or non-nickel cermet incorporating one or more of the transition metals Cr, Fe, Cu and Ag, or alloys thereof.
(FR)L'invention traite de substrats poreux à forte conductivité électronique, mécaniquement résistants et bon marché, et de structures associées pour des dispositifs électrochimiques à semi-conducteurs. L'invention a aussi pour objet des techniques pour former ces structures et des dispositifs intégrant ces dernières. L'invention traite de substrats (548) de dispositifs électrochimiques à semi-conducteurs présentant une nouvelle composition, et de techniques pour former des revêtements minces d'électrode/membrane/électrolyte (546/544) sur de nouveaux substrats ou plus traditionnels. En particulier, selon un mode de réalisation, l'invention concerne des techniques pour assurer la cocuisson du substrat du dispositif (548) (souvent une électrode) avec un électrolyte ou une couche de membrane (544) pour former des films d'électrolyte/membrane densifiés de 5 à 20 microns d'épaisseur. Selon un autre mode de réalisation, les films d'électrolyte/membrane densifiés de 5 à 20 microns d'épaisseur peuvent être formés sur un substrat pré-fritté par un processus de frittage contraint. Dans certains cas, le substrat ((48) peut être un cermet de métal poreux, d'alliage ou autre que du nickel incorporant un ou plusieurs des métaux de transition Cr, Fe, Cu et Ag ou alliages de ces derniers.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)