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1. (WO2001009964) DISPOSITIF COMPORTANT UNE THERMOPILE A COUCHES MINCES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/009964    N° de la demande internationale :    PCT/GB2000/002936
Date de publication : 08.02.2001 Date de dépôt international : 31.07.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    26.02.2001    
CIB :
A63H 3/00 (2006.01), A63H 3/38 (2006.01), H01L 35/30 (2006.01), H01L 35/32 (2006.01)
Déposants : INSTITUTE OF MICROELECTRONICS [GR/GR]; National Centre for Scientific Research "Demokritos", P.O. Box 60228, Aghia Paraskevi, GR-153 10 Attiki (GR) (Tous Sauf US).
NASSIOPOULOU, Androula, G. [GR/GR]; (GR).
PANAGHE, Stylianos [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : NASSIOPOULOU, Androula, G.; (GR).
PANAGHE, Stylianos; (GB)
Mandataire : LLOYD WISE, McNEIGHT & LAWRENCE; c/o Commonwealth House, 1-19 New Oxford Street, London WC1A 1LW (GB)
Données relatives à la priorité :
990100260 30.07.1999 GR
Titre (EN) THIN FILM THERMOPILE ARRANGEMENT
(FR) DISPOSITIF COMPORTANT UNE THERMOPILE A COUCHES MINCES
Abrégé : front page image
(EN)There is disclosed a current generating arrangement having a plurality of thermocouples characterised in that the device comprises: a thick porous silicon layer; 'hot' thermocouple contacts on said thick porous silicon layer; a bulk crystalline silicon member; and 'cold' thermocouple contacts on said bulk, crystalline silicon layer.
(FR)L'invention concerne un dispositif générant du courant et possédant une pluralité de thermocouples. Ce dispositif comprend: une couche de silicium épaisse poreuse; des contacts de thermocouples « chauds » sur ladite couche épaisse poreuse de silicium; un élément de silicium cristallin de substrat; des contacts de thermocouples « froids » sur ladite couche de silicium cristallin de substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)