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1. (WO2001009963) DIODE ELECTROLUMINESCENTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/009963    N° de la demande internationale :    PCT/JP2000/005038
Date de publication : 08.02.2001 Date de dépôt international : 27.07.2000
CIB :
H01L 33/48 (2010.01), H01L 33/50 (2010.01), H01L 33/58 (2010.01), H01L 33/54 (2010.01), H05K 1/18 (2006.01)
Déposants : CITIZEN ELECTRONICS CO., LTD. [JP/JP]; 1-23-1, Kamikurechi, Fujiyoshida-shi, Yamanashi 403-0001 (JP) (Tous Sauf US).
FUKASAWA, Koichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIYASHITA, Junji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TSUCHIYA, Kousuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : FUKASAWA, Koichi; (JP).
MIYASHITA, Junji; (JP).
TSUCHIYA, Kousuke; (JP)
Mandataire : ASAKAWA, Tetsu; 3F, Sanyu Building, 9-25, Tokugyo 3-chome, Kofu-shi, Yamanashi 400-0047 (JP)
Données relatives à la priorité :
11/214527 29.07.1999 JP
11/249030 02.09.1999 JP
Titre (EN) LIGHT-EMITTING DIODE
(FR) DIODE ELECTROLUMINESCENTE
Abrégé : front page image
(EN)To provide a light-emitting diode (21), transparent resin (27) is filled in a hole (25) through a fiberglass-reinforced epoxy substrate (22) between the upper surface (26a) and the lower surface (26b). A light-emitting diode element (29) formed of semiconducting nitride gallium on a transparent sapphire glass substrate (30) is fixedly attached to the transparent resin (27) with transparent adhesive (37). Opaque electrodes (33, 34) are provided on the light-emitting diode element (29) so that the light from the light-emitting diode element (29) can pass through the transparent resin (27) to the lower surface (26b) of the fiberglass-reinforced epoxy substrate (22). When mounted on a motherboard (41), the light-emitting diode (21) is let fall, with its resin mold (38) down, into a hole (42) opened in the motherboard (41), thereby reducing the height above the motherboard.
(FR)Pour produire une diode électroluminescente (21), une résine transparente (27) est injectée dans un trou (25) à travers un substrat époxyde renforcé à la fibre de verre (22) placé entre la surface supérieure (26a) et la surface inférieure (26b). Un élément à diode électroluminescente (29), formé d'un nitriture de gallium semi-conducteur disposé sur un substrat de verre (30) à saphir transparent, est solidement fixé à la résine transparente (27) au moyen d'un adhésif transparent (37). Des électrodes opaques (33, 34) sont disposées sur l'élément à diode électroluminescente (29) de sorte que la lumière émanant de ce dernier puisse traverser la résine transparente (27) jusqu'à la surface inférieure (26b) du substrat époxyde renforcé à la fibre de verre (22). Pour installer la diode électroluminescente (21) sur une carte-mère (41), on la laisse choir dans un trou (42) pratiqué dans la carte-mère (41), son moule de résine (38) étant placé en bas, ce qui réduit la hauteur au-dessus de la carte-mère.
États désignés : CN, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)