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1. (WO2001009942) PROCEDE DE FORMATION DE STRUCTURES A DOPAGE VARIABLE, PRESENTANT UNE ZONE DE TRANSITION HYPERFINE, POUR PRODUIRE DU SILICIUM POREUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/009942    N° de la demande internationale :    PCT/IT2000/000329
Date de publication : 08.02.2001 Date de dépôt international : 02.08.2000
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/22 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : SHINE S.P.A. [IT/IT]; C. da Alento, 1, I-66023 Francavilla al Mare (IT) (Tous Sauf US).
BALUCANI, Marco [IT/IT]; (IT) (US Seulement).
BONDARENKO, Vitaly [BY/BY]; (IT) (US Seulement).
DOLGYI, Leonid [BY/BY]; (IT) (US Seulement).
FERRARI, Aldo [IT/IT]; (IT) (US Seulement).
LAMEDICA, Giulio [IT/IT]; (IT) (US Seulement).
YAKOVTSEVA, Valentina [BY/BY]; (IT) (US Seulement)
Inventeurs : BALUCANI, Marco; (IT).
BONDARENKO, Vitaly; (IT).
DOLGYI, Leonid; (IT).
FERRARI, Aldo; (IT).
LAMEDICA, Giulio; (IT).
YAKOVTSEVA, Valentina; (IT)
Mandataire : LEONE, Mario; Società Italiana Brevetti S.p.A., Piazza di Pietra, 39, I-00186 Roma (IT)
Données relatives à la priorité :
RM99A000496 02.08.1999 IT
Titre (EN) PROCESS FOR FORMING STRUCTURE WITH DIFFERENT DOPED REGIONS, SHOWING A HYPERFINE TRANSITION REGION, FOR FORMING POROUS SILICON
(FR) PROCEDE DE FORMATION DE STRUCTURES A DOPAGE VARIABLE, PRESENTANT UNE ZONE DE TRANSITION HYPERFINE, POUR PRODUIRE DU SILICIUM POREUX
Abrégé : front page image
(EN)A process for forming structures with different conductivity showing a hyperfine transition region, for forming porous silicon for semiconductor integrated circuits, in particular provides the forming of $g(F)/N?+(+)¿/N?(-)¿-type structures for the subsequent selective anodization of one or more regions of N?+(+)¿ semiconducting material for forming porous silicon, so as to comprise the steps of: forming one or more regions of N?+(+)¿ semiconducting material inside a N?(-)¿ semiconducting material substrate; and growing a $g(F) semiconducting material epitaxial layer at a temperature lower than 900 °C.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation de structures de conductibilité diverse présentant une zone de transition hyperfine, ce procédé permettant de produire du silicium poreux pour des circuits intégrés à semiconducteurs, en particulier à l'aide de structures du type $g(F)/N?+(+)¿/N?(-)¿, afin d'effectuer une anodisation sélective d'une ou plusieurs zones d'un corps en semiconducteur N?+(+)¿ et ainsi de produire du silicium poreux. Ce procédé consiste tout d'abord à former une ou plusieurs zones d'un corps en semiconducteur N?+(+)¿ à l'intérieur d'un substrat d'un corps en semiconducteur N?(-)¿, puis à faire croître une couche épitaxiale d'un corps en semiconducteur $g(F) à une température inférieure à 900 °C.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : italien (IT)