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1. (WO2001009579) ISOLATION THERMIQUE AU MOYEN DE STRUCTURES VERTICALES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/009579    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/020699
Date de publication : 08.02.2001 Date de dépôt international : 28.07.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.01.2001    
CIB :
B81B 3/00 (2006.01), G01J 5/02 (2006.01), G01J 5/06 (2006.01), G01J 5/20 (2006.01), G01J 5/40 (2006.01)
Déposants : XACTIX, INC. [US/US]; Suite 565, 2403 Sidney Street, Pittsburgh, PA 15203 (US)
Inventeurs : LEBOUITZ, Kyle; (US)
Mandataire : CARLETON, Dennis, M.; Buchanan Ingersoll, 20th Floor, One Oxford Centre, Pittsburgh, PA 15219 (US)
Données relatives à la priorité :
60/146,696 30.07.1999 US
Titre (EN) THERMAL ISOLATION USING VERTICAL STRUCTURES
(FR) ISOLATION THERMIQUE AU MOYEN DE STRUCTURES VERTICALES
Abrégé : front page image
(EN)This invention relates to the construction of microfabricated devices and, in particular, to types of microfabricated devices requiring thermal isolation from the substrates upon which they are built. This invention discloses vertical thermal isolators and methods of fabricating the vertical thermal isolators. Vertical thermal isolators offer an advantage over thermal isolators of the prior art, which were substantially horizontal in nature, in that less wafer real estate is required for the use of the vertical thermal isolators, thereby allowing a greater density per unit area of the microfabricated devices.
(FR)L'invention se rapporte au montage de dispositifs produits par des procédés de microfabrication, et en particulier de dispositifs qui doivent être séparés du substrat sur lequel ils sont montés par une isolation thermique. Cette invention concerne des isolateurs thermiques verticaux et des procédés permettant de fabriquer ces isolateurs. L'avantage de ces isolateurs thermiques verticaux sur les isolateurs thermiques antérieurs de forme générale sensiblement horizontale, est qu'ils nécessitent un surface de tranche moins importante, permettant ainsi une densité plus importante de microdispositifs par unité de surface.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)