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1. (WO2001009407) MATERIAU AU CARBURE DE SILICE, EQUIPEMENT DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS, ET PROCEDE D'ELABORATION DE MATERIAU AU CARBURE DE SILICE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/009407    N° de la demande internationale :    PCT/JP2000/005178
Date de publication : 08.02.2001 Date de dépôt international : 02.08.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.01.2001    
CIB :
C23C 16/32 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
TOYO TANSO CO., LTD. [JP/JP]; 7-12, Takeshima 5-chome, Nishiyodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 555-0011 (JP) (Tous Sauf US).
OTSUKI, Hayashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NOGAMI, Satoru [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OTSUKI, Hayashi; (JP).
NOGAMI, Satoru; (JP)
Mandataire : SATO, Kazuo; Kyowa Patent & Law Office, Room 323, Fuji Building, 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
Données relatives à la priorité :
11/218356 02.08.1999 JP
Titre (EN) SiC MATERIAL, SEMICONDUCTOR PROCESSING EQUIPMENT AND METHOD OF PREPARING SiC MATERIAL THEREFOR
(FR) MATERIAU AU CARBURE DE SILICE, EQUIPEMENT DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS, ET PROCEDE D'ELABORATION DE MATERIAU AU CARBURE DE SILICE
Abrégé : front page image
(EN)A SiC material excellent in corrosion resistance which is obtained through CVD and contains $g(b)-SiC crystals, characterized in that, in an X-ray diffraction pattern of $g(b)-SiC crystals, the ratio of the sun of peak intensities for (220) face and (311) face to the total of those for (111) face, (200) face, (220) face, (311) face and (222) face is 0.15 or greater; and a SiC material excellent in corrosion resistance which is obtained through CVD, characterized in that it contains $g(b)-SiC crystals and $g(a)-SiC crystals having the 6H structure. Such a SiC material is formed on a base material. A member comprising a base material and such a SiC material formed thereon through CVD is used as an internal member of semicoductor processing equipment.
(FR)La présente invention concerne un matériau au carbure de silice très résistant à la corrosion produit par dépôt chimique en phase vapeur et contenant des cristaux de $g(b)-SiC. Ce matériau se caractérise en ce que, dans une structure de diffraction aux rayons X des cristaux de $g(b)-SiC, le rapport entre, d'une part la somme des intensités de crête pour la face (220) et la face (311), et d'autre part la somme de ceux de la face (111), de la face (200), de la face (311) et de la face (222) est d'au moins 0,15. L'invention concerne également un matériau au carbure de silice très résistant à la corrosion produit par dépôt chimique en phase vapeur, caractérisé en ce qu'il contient des cristaux de $g(b)-SiC et des cristaux d'$g(a)-SiC présentant une structure 6H. Un tel matériau au carbure de silice se forme dur un matériau de base. L'invention concerne enfin une structure comprenant un matériau de base et un tel matériau au carbure de silice formé sur le matériau de base par dépôt chimique en phase vapeur, et qui sert de structure interne d'équipement de traitement de semi-conducteurs.
États désignés : KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)