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1. (WO2001008229) ELEMENT ELECTROLUMINESCENT A SEMI-CONDUCTEUR A BASE D'UN COMPOSE ZnO
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/008229    N° de la demande internationale :    PCT/JP2000/004998
Date de publication : 01.02.2001 Date de dépôt international : 26.07.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.02.2001    
CIB :
H01L 33/00 (2010.01), H01S 5/327 (2006.01), H01S 5/02 (2006.01), H01S 5/323 (2006.01)
Déposants : NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8921 (JP) (Tous Sauf US).
ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 615-8585 (JP) (Tous Sauf US).
NIKI, Shigeru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FONS, Paul [US/JP]; (JP) (US Seulement).
IWATA, Kakuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TANABE, Tetsuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKASU, Hidemi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAHARA, Ken [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NIKI, Shigeru; (JP).
FONS, Paul; (JP).
IWATA, Kakuya; (JP).
TANABE, Tetsuhiro; (JP).
TAKASU, Hidemi; (JP).
NAKAHARA, Ken; (JP)
Mandataire : KAWAMURA, Kiyoshi; Kawamura & Co., Shinei Bldg. 6E, 5-1, Nishinakajima 4-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 532-0011 (JP)
Données relatives à la priorité :
11/211222 26.07.1999 JP
11/211223 26.07.1999 JP
Titre (EN) ZnO COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND PRODUCTION METHOD THEREOF
(FR) ELEMENT ELECTROLUMINESCENT A SEMI-CONDUCTEUR A BASE D'UN COMPOSE ZnO
Abrégé : front page image
(EN)A silicon nitride film (2) is provided on a silicon substrate (1), and on the film (2) is laminated a semiconductor laminate (11) having at least n-type layers (3), (4) and p-type layers (6), (7) consisting of ZnO compound semiconductors so as to form a luminous layer. This silicon nitride film (2) is preferably formed by heat-treatment in an atmosphere containing nitrogen such as ammonia gas. In another embodiment, a luminous element or the like is formed by growing a ZnO compound semiconductor layer with a plane orthogonal to the C plane of a sapphire substrate used as a main plane, thereby providing a high-characteristic element using a ZnO compound such as an LED excellent in crystallinity and high in luminous efficiency.
(FR)L'invention concerne un film à base de nitriture de silicium (2) disposé sur un substrat en silicium. Un stratifié semiconducteur (11) plaqué sur le film (2) présente au moins des couches de type N (3, 4) et des couches de type P (6, 7) constituées de semi-conducteurs obtenus d'un composé de ZnO et formant une couche lumineuse. Ce film à base de nitriture de silicium (2) est formé, de préférence, par traitement thermique dans une atmosphère chargée d'azote, telle que le gaz ammoniac. Dans une autre forme de réalisation, un élément lumineux ou analogue est formé par croissance d'une couche de semi-conducteurs à base du composé de ZnO présentant un plan orthogonal par rapport au plan C d'un substrat de saphir utilisé comme plan principal. On produit ainsi un élément de grande qualité, tel qu'un DEL, à partir d'un composé de ZnO ayant une excellente cristallinité et un rendement lumineux élevé.
États désignés : CA, CN, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR, GB, IT, NL).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)