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1. (WO2001008217) PROCEDES POUR FORMER DES CELLULES DE MEMOIRE A LIGNE DE BITS SURMONTEE PAR UNE CAPACITE (PROCEDE COB)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/008217    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/019869
Date de publication : 01.02.2001 Date de dépôt international : 19.07.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    20.02.2001    
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way, Boise, ID 83716-9632 (US)
Inventeurs : ZAHURAK, John, K.; (US).
PAREKH, Kunal, R.; (US).
FISCHER, Mark; (US)
Mandataire : MATKIN, Mark, S.; Suite 1300, West 601 First Avenue, Spokane, WA 99201-3828 (US)
Données relatives à la priorité :
09/360,349 22.07.1999 US
Titre (EN) METHODS OF FORMING CAPACITOR-OVER-BIT LINE MEMORY CELLS
(FR) PROCEDES POUR FORMER DES CELLULES DE MEMOIRE A LIGNE DE BITS SURMONTEE PAR UNE CAPACITE (PROCEDE COB)
Abrégé : front page image
(EN)Methods of forming capacitor-over-bit line memory cells are described. In one embodiment, a bit line contact opening is etched through conductive bit line material. In one implementation, a bit line contact opening is etched through a previously-formed bit line. In one implementation, a bit line contact opening is etched after forming a bit line.
(FR)L'invention concerne des procédés pour former des cellules de mémoire à ligne de bits surmontée par une capacité (procédé COB). Dans un mode de réalisation, on grave une ouverture de contact de la ligne de bits à travers le matériau conducteur de la ligne de bits; dans un autre mode de réalisation, on grave une ouverture de contact de la ligne de bits à travers une ligne de bits déjà formée; dans un troisième mode de réalisation, on grave une ouverture de contact de la ligne de bits après avoir formé ladite ligne de bits.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)