WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2001008208) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR, PROCEDE PERMETTANT DE FORMER UNE COUCHE D'OXYDE DE SILICIUM ET APPAREIL PERMETTANT DE FORMER UNE COUCHE D'OXYDE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/008208    N° de la demande internationale :    PCT/JP2000/004972
Date de publication : 01.02.2001 Date de dépôt international : 26.07.2000
CIB :
H01L 21/84 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/51 (2006.01)
Déposants : OHMI, Tadahiro [JP/JP]; (JP)
Inventeurs : OHMI, Tadahiro; (JP)
Mandataire : KOKUBUN, Takayoshi; 5th floor, Ikebukuro TG Homest Building, 17-8, Higashi-Ikebukuro 1-chome, Toshima-ku, Tokyo 170-0013 (JP)
Données relatives à la priorité :
11/241983 26.07.1999 JP
11/375973 25.11.1999 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM, AND APPARATUS FOR FORMING SILICON OXIDE FILM
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR, PROCEDE PERMETTANT DE FORMER UNE COUCHE D'OXYDE DE SILICIUM ET APPAREIL PERMETTANT DE FORMER UNE COUCHE D'OXYDE DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)A silicon oxide film (1701) serving as a gate insulating film of a semiconductor device contains Kr. Therefore, the stress in the silicon oxide film (1701) and the stress at the interface between silicon and the silicon oxide film are relaxed, and the silicon oxide film has a high quality even though it is formed at low temperature. The uniformness of thickness of the silicon oxide film (1701) on the silicon of the side wall of a groove (recess) in the element isolating region is 30% or less. Consequently, the silicon oxide film (1701) has characteristics and reliability excelling those of a silicon thermal oxide film, and the element isolating region can be made small, thereby realizing a high-performance transistor integrated circuit preferably adaptable to an SOI transistor and a TFT.
(FR)Une couche d'oxyde de silicium (1701) servant de couche d'isolation de grille pour un dispositif à semi-conducteur contient du Kr. Pour cette raison, la contrainte dans la couche d'oxyde de silicium (1701) et la contrainte à l'interface entre le silicium et la couche d'oxyde de silicium sont relâchées et la couche d'oxyde de silicium présente une qualité élevée, même lorsqu'elle est formée à basse température. L'uniformité d'épaisseur de la couche d'oxyde de silicium (1701) sur le silicium de la paroi latérale d'une rainure (évidement) située dans la région isolant l'élément est inférieure ou égale à 30 %. Ainsi, ladite couche d'oxyde de silicium (1701) présente des caractéristiques et une fiabilité qui sont excellentes par rapport à celles d'une couche d'oxyde thermique de silicium et la région isolant l'élément peut être de petite dimension, ce qui permet de réaliser un circuit intégré à transistor haute performance qui peut de préférence s'adapter à un transistor de type silicium sur isolant (SOI) et à un transistor à couches minces.
États désignés : KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)