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1. (WO2001008203) PROCEDE ELIMINANT LES REDEPOSITIONS SUR UNE PLAQUETTE ET PLAQUETTE EXEMPTE DE REDEPOSITIONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/008203    N° de la demande internationale :    PCT/DE2000/002394
Date de publication : 01.02.2001 Date de dépôt international : 21.07.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.02.2001    
CIB :
H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, D-81541 München (DE) (Tous Sauf US).
BERGMANN, Renate [DE/US]; (US) (US Seulement).
DEHM, Christine [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HASLER, Barbara [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SCHELER, Ulrich [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SCHINDLER, Günther [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
WEINRICH, Volker [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HARTNER, Walter [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : BERGMANN, Renate; (US).
DEHM, Christine; (DE).
HASLER, Barbara; (DE).
SCHELER, Ulrich; (DE).
SCHINDLER, Günther; (DE).
WEINRICH, Volker; (DE).
HARTNER, Walter; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN & FISCHER GBR; Postfach 12 10 26, D-80034 München (DE)
Données relatives à la priorité :
199 35 131.7 27.07.1999 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR BESEITIGUNG VON REDEPOSITIONEN AUF EINEM WAFER UND WAFER, DER FREI VON REDEPOSITIONEN IST
(EN) METHOD FOR REMOVING REDEPOSITIONS ON A WAFER AND WAFER WHICH IS DEVOID OF REDEPOSITIONS
(FR) PROCEDE ELIMINANT LES REDEPOSITIONS SUR UNE PLAQUETTE ET PLAQUETTE EXEMPTE DE REDEPOSITIONS
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Beseitigung von Redepositionen auf einem Wafer sowie einen Wafer, der frei von Redepositionen ist. Die Entfernung der Redepositionen am Wafer findet nach Aufbringung einer Schutzschicht auf der Topelektrode und den Grenzflächen der Topelektrode mit dem Dielektrikum statt, so daß diese Bereich durch die naßchemischen Mittel, durch die die Redepositionen einzig wirkungsvoll beseitigt werden können, nicht beschädigt werden.
(EN)The invention relates to a method for removing redepositions on a wafer and to a wafer which is devoid of redepositions. The removal of the redepositions on the wafer occurs after a protective layer is arranged on the top electrode and the boundary surfaces of the electrodes with a dielectric, whereby said areas are not damaged by wet chemical agents enabling the redepositions to be exclusively and efficiently removed.
(FR)L'invention concerne un procédé pour l'élimination de redépositions sur une plaquette, ainsi qu'une plaquette exempte de redépositions. L'élimination des redépositions sur la plaquette a lieu après dépôt d'une couche de protection sur l'électrode supérieure et les surfaces limites de l'électrode supérieure avec le diélectrique de sorte que ces zones ne sont pas endommagées par les moyens chimiques en milieu liquide permettant l'unique élimination efficace des redépositions.
États désignés : CN, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)