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1. (WO2001008193) DISPOSITIF A EFFET DE CHAMP A VIDE ET PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/008193    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/020230
Date de publication : 01.02.2001 Date de dépôt international : 25.07.2000
CIB :
H01J 9/02 (2006.01), H01J 21/10 (2006.01)
Déposants : ADVANCED VISION TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; c/o Arrington, Scott, C., President, 40 Sandringham Road, Rochester, NY 14610 (US)
Inventeurs : POTTER, Michael, D.; (US)
Données relatives à la priorité :
60/145,570 26.07.1999 US
09/476,984 31.12.1999 US
09/477,788 31.12.1999 US
Titre (EN) VACUUM FIELD-EFFECT DEVICE AND FABRICATION PROCESS THEREFOR
(FR) DISPOSITIF A EFFET DE CHAMP A VIDE ET PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)An ultra-high-frequency vacuum-channel field-effect microelectronic device (VFED or IGVFED) has a lateral field-emission source (60), a drain (150), and one or more insulated gates (40, 160). The insulated gate(s) are preferably disposed to extend in overlapping alignment with the emitting edge (85) of the lateral field-emission source and with a portion of the vacuum-channel region (120). If the gate(s) are omitted, the device performs as an ultra-high speed diode. A preferred fabrication process for the device uses a sacrificial material temporarily deposited in a trench for the vacuum-channel region which is covered with an insulating cover. An access hole in the cover allows removal of the sacrificial material. As part of a preferred fabrication process, the drain preferably acts also as a sealing plug, plugging the access hole and sealing the vacuum-channel region after the vacuum-channel region is evacuated.
(FR)La présente invention concerne un dispositif micro-électronique à effet de champ à canal de vide à fréquence ultra-haute (VFED ou IGVFED) comportant une source d'émission de champ latéral (60), un collecteur (150) et au moins une grille isolée (40, 160). Ces grilles isolées sont disposées de préférence de façon à se déployer en alignement de chevauchement avec le bord émetteur (85) de la source d'émission de champ latérale et avec une partie de la région du canal à vide (120). Si les grilles n'existent pas, le dispositif fonctionne comme une diode à très grande vitesse. Pour l'un des procédés de fabrication préférés du dispositif, on utilise un matériau sacrificiel déposé temporairement dans une tranchée pour la région du canal à vide qui est couverte d'une couverture isolante. Un trou d'accès dans la couverture permet l'élimination du matériau sacrificiel. Un aspect d'un procédé de fabrication préféré est de voir le drain agir de préférence également comme obturateur étanche, fermant le trou d'accès et obstruant de façon étanche la région du canal à vide une fois que la région du canal à vide a été évacuée.
États désignés : CA, CN, JP, KR, SG.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)