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1. (WO2001007885) MASQUE AMELIORE D'AIDE A LA MISE AU POINT POUR INTERFEROMETRE A DIFFRACTION DE POINT DE DEPHASAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/007885    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/017563
Date de publication : 01.02.2001 Date de dépôt international : 26.06.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.02.2001    
CIB :
G01B 9/02 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1 Cyclotron Road, M/S 90-1121, Berkeley, CA 94720 (US) (Tous Sauf US).
NAULLEAU, Patrick [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : NAULLEAU, Patrick; (US)
Mandataire : JEW, Charles, H.; Burns, Doane, Swecker & Mathis, LLP, P.O. Box 1404, Alexandria, VA 22313-1404 (US)
Données relatives à la priorité :
09/361,780 26.07.1999 US
Titre (EN) PHASE-SHIFTING POINT DIFFRACTION INTERFEROMETER FOCUS-AID ENHANCED MASK
(FR) MASQUE AMELIORE D'AIDE A LA MISE AU POINT POUR INTERFEROMETRE A DIFFRACTION DE POINT DE DEPHASAGE
Abrégé : front page image
(EN)A phase-shifting point diffraction interferometer system (PS/PDI) employing a PS/PDI mask that includes a PDI focus aid is provided. The PDI focus aid mask includes a large or secondary reference pinhole that is slightly displaced from the true or primary reference pinhole. The secondary pinhole provides a larger capture tolerance for interferometrically performing fine focus. With the focus-aid enhanced mask, conventional methods such as the knife-edge test can be used to perform an initial (or rough) focus and the secondary (large) pinhole is used to perform interferometric fine focus. Once the system is well focused, high accuracy interferometry can be performed using the primary (small) pinhole.
(FR)Cette invention se rapporte à un système d'interféromètre à diffraction de point de déphasage (PS/PDI) utilisant un masque PS/PDI contenant une aide à la mise au point PDI. Le masque d'aide à la mise au point PDI comprend un grand sténopé ou sténopé de référence secondaire, qui est légèrement décalé par rapport au vrai sténopé ou sténopé de référence primaire. Le sténopé secondaire fournit une tolérance de prise plus grande pour permettre d'effectuer une mise au point fine en mode interferométrique. Grâce à ce masque amélioré d'aide à la mise au point, les procédés classiques, tels que le test de la tranche, peuvent être utilisés pour effectuer une mise au point initiale (ou grossière) et le grand sténopé ou sténopé secondaire est utilisé pour effectuer une mise au point fine interférométrique. Une fois que la mise au point du système est bien effectuée, on peut réaliser une interférométrie de haute précision en utilisant le petit sténopé ou sténopé primaire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)