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1. (WO2001006646) STRUCTURE RESONNANTE ET FILTRE COMPORTANT CETTE STRUCTURE RESONNANTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/006646    N° de la demande internationale :    PCT/FI2000/000652
Date de publication : 25.01.2001 Date de dépôt international : 18.07.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    15.02.2001    
CIB :
H03H 9/17 (2006.01)
Déposants : NOKIA CORPORATION [FI/FI]; Keilalahdentie 4, FIN-02150 Espoo (FI) (Tous Sauf US).
KAITILA, Jyrki [FI/FI]; (FI) (US Seulement).
YLILAMMI, Markku [FI/FI]; (FI) (US Seulement).
ELLÄ, Juha [FI/FI]; (FI) (US Seulement)
Inventeurs : KAITILA, Jyrki; (FI).
YLILAMMI, Markku; (FI).
ELLÄ, Juha; (FI)
Mandataire : BERGGREN OY AB; P.O. Box 16, FIN-00100 Helsinki (FI)
Données relatives à la priorité :
991619 19.07.1999 FI
Titre (EN) RESONATOR STRUCTURE AND A FILTER HAVING SUCH A RESONATOR STRUCTURE
(FR) STRUCTURE RESONNANTE ET FILTRE COMPORTANT CETTE STRUCTURE RESONNANTE
Abrégé : front page image
(EN)Resonator structure (600, 800, 810, 820) comprises two conductor layers (110, 120) and a piezoelectric layer (100) in between the conductor layers, and said conductor layers and piezoelectric layer extend over a first area of the resonator structure, which first area is a piezoelectrically excitable area of the resonator structure. The resonator structure is characterized in that it is arranged to have a zone (603, 801, 803, 804), which confines a center area (604, 802) within the first area of the resonator, and the layer structure in the zone is arranged to be such that piezoelectrically excited vibrations are dampened more effectively in the zone than in the center area.
(FR)L'invention concerne une structure résonnante (600, 800, 810, 820) comprenant deux couches conductrices (110, 120) et une couche piézo-électrique (100) située entre ces couches conductrices. Ces couches conductrices et cette couche piézo-électrique s'étendent sur une première région de la structure résonnante, laquelle première région est une région de la structure résonnante pouvant être excitée de manière piézo-électrique. Cette structure résonnante est caractérisée en ce qu'elle est arrangée de manière à comporter une zone (603, 801, 803, 804) qui confine une région centrale (604, 802) dans la première région du résonateur et la structure de la couche de cette zone est arrangée de sorte que les vibrations excitées de manière piézo-électrique sont atténuées plus efficacement dans ladite zone que dans la région centrale.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)