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1. (WO2001006570) CELLULE DE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS NON VOLATILE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/006570    N° de la demande internationale :    PCT/DE2000/001732
Date de publication : 25.01.2001 Date de dépôt international : 29.05.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.11.2000    
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, D-81541 München (DE) (Tous Sauf US).
RÖSNER, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
RAMCKE, Ties [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
RISCH, Lothar [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SCHULZ, Thomas [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : RÖSNER, Wolfgang; (DE).
RAMCKE, Ties; (DE).
RISCH, Lothar; (DE).
SCHULZ, Thomas; (DE)
Mandataire : LANGE, Thomas @ Lambsdorff & Lange; Dingolfinger Strasse 6, 81673 München (DE)
Données relatives à la priorité :
199 33 958.9 20.07.1999 DE
Titre (DE) NICHTFLÜCHTIGE HALBLEITERSPEICHERZELLE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DERSELBEN
(EN) NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY CELL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) CELLULE DE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS NON VOLATILE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Abrégé : front page image
(DE)Eine nichtflüchtige Halbleiterspeicherzelle umfaßt ein auf einem Substrat (1) gebildetes Transistorbauelement (2, 3, 6) und einen Speicherknoten, der den Schaltzustand des Transistorbauelements (2, 3, 6) bestimmt und in der Umgebung einer Steuergate-Elektrode (8) angeordnet ist. Der Speicherknoten weist eine Gruppe vertikal orientierter Säulenstrukturen (7) mit mindestens zwei Halbleiterschichtzonen (10) und einer dazwischen liegenden Isolationschichtzone (11) auf.
(EN)The invention relates to a non-volatile semiconductor memory cell, comprising a transistor component (2, 3, 6) which is located on a substrate (1) and a memory node which determines the control state of the transistor component (2, 3, 6) and which is located in the vicinity of a control gate electrode (8). The memory node has a group of vertically orientated stack structures (7), comprising at least two semiconductor layer zones (10) and an insulating layer zone (11) which lies between the latter.
(FR)L'invention concerne une cellule de mémoire à semi-conducteurs non volatile, comprenant un composant transistor (2, 3, 6) réalisé sur un substrat (1) et un point mémoire qui détermine l'état de commutation du composant transistor (2, 3, 6) et est situé à proximité d'une électrode de grille de commande (8). Le point mémoire présente un groupe de structures en colonne (7) orientées verticalement et ayant au moins deux zones de couche semi-conductrice (10) entourant une zone de couche d'isolation (11).
États désignés : CN, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)