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1. (WO2001006554) PROCEDE DE REALISATION DE CONTACTS DE POLYSILICIUM SILICES DANS DES STRUCTURES EN SEMI-CONDUCTEUR INTEGREES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/006554    N° de la demande internationale :    PCT/DE2000/002098
Date de publication : 25.01.2001 Date de dépôt international : 28.06.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    07.12.2000    
CIB :
H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, D-81541 München (DE) (Tous Sauf US).
BÖCK, Josef [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : BÖCK, Josef; (DE)
Mandataire : ZIMMERMANN & PARTNER; P.O. Box 330 920, 80069 München (DE)
Données relatives à la priorité :
199 30 420.3 01.07.1999 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON SILIZIERTEN POLYSILIZIUMKONTAKTEN IN INTEGRIERTEN HALBLEITERSTRUKTUREN
(EN) METHOD FOR PRODUCING SILICONIZED POLYSILICON CONTACTS IN INTEGRATED SEMICONDUCTOR STRUCTURES
(FR) PROCEDE DE REALISATION DE CONTACTS DE POLYSILICIUM SILICES DANS DES STRUCTURES EN SEMI-CONDUCTEUR INTEGREES
Abrégé : front page image
(DE)Um den Widerstand einer Polysiliziumstruktur zu verringern, wird häufig die Struktur mit einer Silizidschicht versehen. Hierbei ergibt sich jedoch das Herstellungsproblem, nur bestimmte Polysiliziumstrukturen zu silizieren, andere hingegen, beispielsweise solche, die für Widerstände Verwendung finden sollen, nicht zu silizieren. Daher stellt die Erfindung ein einfaches Verfahren zur selektiven Silizierung von Polysiliziumbereichen in integrierten Halbleiterstrukturen zur Verfügung.
(EN)The resistance of a polysilicon structure is often reduced by providing it with a silicide layer. However this presents a production problem in terms of only siliconizing certain polysilicon layers. Others, such as those that are to be used for resistors, are not siliconised. The invention therefore provides a simple method for the selective siliconization of polysilicon areas in integrated semiconductor structures.
(FR)Pour que la résistance d'une structure en polysilicium soit diminuée, ladite structure est fréquemment pourvue d'une couche de siliciure. Cependant, cela pose un problème pendant la production car il s'agit de ne silicer que certaines structures en polysilicium et de ne pas silicer d'autres structures, par exemple celles qui doivent être utilisées en tant que résistances. Pour cette raison, l'invention concerne un procédé simple permettant de silicer de façon sélective des zones de polysilicium dans des structures de semi-conducteur intégrées.
États désignés : JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)