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1. (WO2001006552) PROCEDE DE REDUCTION DE LA CONDUCTIVITE POUR SEMI-CONDUCTEURS COMPOSES DOPES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/006552    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/017143
Date de publication : 25.01.2001 Date de dépôt international : 21.06.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    20.12.2000    
CIB :
H01L 21/225 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/331 (2006.01), H01L 21/335 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01)
Déposants : HRL LABORATORIES, LLC [US/US]; 3011 Malibu Canyon Road, Malibu, CA 90265-4799 (US) (Tous Sauf US).
DOCTER, Daniel, P. [US/US]; (US) (US Seulement).
KIZILOGLU, Kursad [TR/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : DOCTER, Daniel, P.; (US).
KIZILOGLU, Kursad; (US)
Mandataire : BERG, Richard, P.; Ladas & Parry, Suite 2100, 5670 Wilshire Boulevard, Los Angeles, CA 90036-5679 (US)
Données relatives à la priorité :
09/354,248 15.07.1999 US
Titre (EN) CONDUCTIVITY REDUCTION METHOD FOR DOPED COMPOUND SEMICONDUCTORS
(FR) PROCEDE DE REDUCTION DE LA CONDUCTIVITE POUR SEMI-CONDUCTEURS COMPOSES DOPES
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method of reducing the conductivity/charge of a layer of group III-V semiconductor doped with Sn. The method includes the steps of: forming a region of SiO¿2? (30) on the semiconductor layer (14), annealing at least the semiconductor layer and the region of SiO¿2? at a temperature sufficiently high to cause atoms of the Sn dopant to diffuse from the semiconductor layer into the region of SiO¿2?; thereby forming a region (32) with reduced Sn concentration and removing the region of SiO¿2? after the annealing step is performed. The method can be used, for example, during the manufacture of HEMT, PHEMT,MESFET, and HBT devices.
(FR)L'invention se rapporte à un procédé de réduction de la conductivité/charge d'une couche de semi-conducteur des groupes III-V dopée avec de l'étain. Ledit procédé consiste à former une région de SiO¿2? (30) sur la couche de semi-conducteur (14), à soumettre au moins la couche de semi-conducteur à un recuit ainsi que la région de SiO¿2?, et ce à une température suffisamment élevée pour provoquer la diffusion de l'étain dopant de la couche de semi-conducteur vers la région de Si¿O2? aux fins de la formation d'une région (32) ayant une concentration réduite en étain, puis à retirer la région de SiO¿2? après l'étape de recuit. Ledit procédé peut être mis en oeuvre, par exemple, au cours de la fabrication de dispositifs HEMT, PHEMT, MESFET et HBT.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)