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1. (WO2001006547) RESISTANCE EN COUCHE MINCE ET PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/006547    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/019010
Date de publication : 25.01.2001 Date de dépôt international : 13.07.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    17.10.2000    
CIB :
H01C 7/00 (2006.01), H01C 17/075 (2006.01), H01C 17/08 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01), H01L 27/08 (2006.01)
Déposants : LUCENT TECHNOLOGIES INC. [US/US]; 600 Mountain Avenue, Murray Hill, NJ 07974-0636 (US)
Inventeurs : HUTTEMANN, Robert, D.; (US).
TEREFENKO, George, J.; (US)
Mandataire : GAINES, Charles, W.; Hitt Gaines & Boisbrun, P.C., P.O. Box 832570 ;, Richardson, TX 75083 ; (US)
Données relatives à la priorité :
60/143,691 14.07.1999 US
Titre (EN) A THIN FILM RESISTOR DEVICE AND A METHOD OF MANUFACTURE THEREFOR
(FR) RESISTANCE EN COUCHE MINCE ET PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a thin film resistor and method of manufacture therefor. The thin film resistor comprises a resistive layer located on a first dielectric layer, first and second contact pads located on the resistive layer, and a second dielectric layer located over the resistive layer and the first and second contact pads. In an illustrative embodiment, the thin film resistor further includes a first interconnect that contacts the first contact pad and a second interconnect that contacts the second contact pad.
(FR)La présente invention concerne une résistance en couche mince et un procédé de fabrication correspondant. Cette résistance en couche mince comprend une couche résistante située sur une première couche diélectrique, des premières et secondes plages de contact sur la couche résistante, et une seconde couche diélectrique située au-dessus de la couche résistante et des premières et secondes plages de contact. Selon une réalisation particulière, la résistance en couche mince comporte une première interconnexion qui touche la première plage de contacts et une seconde interconnexion qui touche la seconde plage de contact.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)