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1. (WO2001006031) SUPPORT DE PLAQUETTE A SEMI-CONDUCTEUR SANS SUSCEPTEUR ET SYSTEME DE REACTEUR POUR LA CROISSANCE DE COUCHE EPITAXIALE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/006031    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/012334
Date de publication : 25.01.2001 Date de dépôt international : 04.05.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    14.02.2001    
CIB :
C23C 16/458 (2006.01), C30B 25/12 (2006.01), C30B 31/14 (2006.01), H01L 21/687 (2006.01)
Déposants : SEH AMERICA, INC. [US/US]; 4111 N.E. 112th Avenue, Vancouver, WA 98682-6776 (US)
Inventeurs : DIETZE, Gerald, R.; (US).
HARTMANN, Dominic, A.; (US)
Mandataire : GOSNELL, Guy, R.; Alston & Bird LLP, Bank of America Plaza, Suite 4000, 101 South Tryon Street, Charlotte, NC 28280-4000 (US)
Données relatives à la priorité :
09/353,196 14.07.1999 US
Titre (EN) SUSCEPTORLESS SEMICONDUCTOR WAFER SUPPORT AND REACTOR SYSTEM FOR EPITAXIAL LAYER GROWTH
(FR) SUPPORT DE PLAQUETTE A SEMI-CONDUCTEUR SANS SUSCEPTEUR ET SYSTEME DE REACTEUR POUR LA CROISSANCE DE COUCHE EPITAXIALE
Abrégé : front page image
(EN)A reactor system for use in growth of an epitaxial layer of semiconductor material on a semiconductor wafer. The reactor system includes a reaction chamber including an inlet and an outlet, each of the inlet and outlet being configured to flow a source gas across the reaction chamber. The reactor system also includes a wafer support positioned at least partially within the reaction chamber, the wafer support including a contact member coupled to a hub by an arm, and a void adjacent the arm. The reactor system additionally includes a semiconductor wafer including a front side and a back side, the wafer being positioned substantially horizontally within the reaction chamber intermediate the inlet and the outlet such that the back side rests directly upon the contact member of the wafer support. Typically, the reaction chamber is configured to direct flow of a source gas horizontally from the inlet to the outlet across the wafer such that the gas flows directly over the front side of the wafer, and flows through the void to contact the back side of the wafer. The reactor system may include a heat energy source positioned below the wafer and configured to radiate heat energy to the wafer through the void in the wafer support. Typically, the void extends from the back side of the wafer to the bottom of the reaction chamber. The wafer support does not include a susceptor.
(FR)La présente invention concerne un système de réacteur utilisé pour la croissance d'une couche épitaxiale de matériau semi-conducteur sur une plaquette à semi-conducteur. Ce système de réacteur comprend une chambre de réaction pourvue d'une entrée et d'une sortie qui sont conçues pour faire circuler un gaz source à travers la chambre de réaction. Ce système de réacteur comprend également un support de plaquette qui est placé au moins partiellement à l'intérieur de la chambre de réaction et comporte un élément de contact, couplé à un moyeu par un bras, et un vide, adjacent audit bras. De plus, le système de réacteur comprend une plaquette à semi-conducteur qui comporte une face avant et une face arrière, la plaquette étant placée sensiblement de façon horizontale, à l'intérieur de la chambre de réaction, entre l'entrée et la sortie, de façon que la face arrière reste directement sur l'élément de contact du support de plaquette. Généralement, la chambre de réaction est conçue pour diriger le flux d'un gaz source de façon horizontale, de l'entrée à la sortie, à travers la plaquette, de façon que le gaz s'écoule directement sur la face avant de la plaquette, puis s'écoule à travers le vide, afin d'entrer en contact avec la face arrière de la plaquette. Le système de réacteur peut comprendre une source d'énergie thermique, située sous la plaquette et conçue pour rayonner de l'énergie thermique à la plaquette, à travers le vide du support de plaquette. Généralement, le vide s'étend de la face arrière de la plaquette au fond de la chambre de réaction. Le support de plaquette ne comprend pas de suscepteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)