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1. (WO2001005497) PROCEDE ET DISPOSITIF POUR CRIBLAGE RAPIDE DE REACTIONS MULTIPHASE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/005497    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/019316
Date de publication : 25.01.2001 Date de dépôt international : 17.07.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    01.02.2001    
CIB :
B01J 19/00 (2006.01), B01L 7/00 (2006.01)
Déposants : GENERAL ELECTRIC COMPANY [US/US]; 1 River Road, Schenectady, NY 12345 (US)
Inventeurs : FLANAGAN, William, Patrick; (US).
MORRIS, William, Guy; (US).
JOHNSON, Roger, Neal; (US)
Mandataire : SNYDER, Bernard; General Electric Company, 3135 Easton Turnpike W3C, Fairfield, CT 06431 (US)
Données relatives à la priorité :
60/144,567 16.07.1999 US
09/609,921 03.07.2000 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR RAPID SCREENING OF MULTIPHASE REACTIONS
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF POUR CRIBLAGE RAPIDE DE REACTIONS MULTIPHASE
Abrégé : front page image
(EN)In one exemplary embodiment, the present invention is directed to a method that comprises providing a reaction substrate (4) having a plurality of substrate reservoirs (6) adapted to receive a reactant system at least partially embodied in a liquid. A thermal unit (30, 32) maintains the reactant system at a first temperature. A head plate (10) is disposed adjacent to the reaction substrate (4) to form a sealed and pressurized headspace (12) above the substrate reservoirs. The head plate (10) is maintained at a second temperature higher than the first temperature. A second reactant may be introduced as a gas into the headspace above the plurality of substrate reservoirs.
(FR)Selon un mode de réalisation, cette invention concerne un procédé faisant intervenir un substrat de réaction (4) qui comporte une pluralité de réservoirs (6) conçus pour recevoir un système réactif au moins partiellement intégré dans un liquide. Une unité thermique (30, 32) maintient le système réactif à une première température. Une plaque de tête (10) disposée sur le substrat de réaction (4) forme un espace hermétique et sous pression (12) au-dessus des réservoirs du substrat. La plaque de tête (10) est maintenue à une seconde température, plus élevée que la première température. Un second réactif peut être introduit sous forme de gaz dans l'espace au-dessus des réservoirs du substrat.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)