WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2001004959) TRANSISTOR A STRUCTURE MULTICOUCHE CANALISANT UN SEUL ELECTRON
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/004959    N° de la demande internationale :    PCT/JP2000/004621
Date de publication : 18.01.2001 Date de dépôt international : 11.07.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    05.02.2001    
CIB :
H01L 29/76 (2006.01), H01L 39/22 (2006.01)
Déposants : JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY CORPORATION [JP/JP]; 1-8, Hon-cho 4-chome, Kawaguchi-shi, Saitama 332-0012 (JP) (Tous Sauf US).
YAMASHITA, Tsutomu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KIM, Sang-Jae [KR/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMASHITA, Tsutomu; (JP).
KIM, Sang-Jae; (JP)
Mandataire : SHIMIZU, Mamoru; Ohzono Bldg., 7-10, Kanda-mitoshiro-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 101-0053 (JP)
Données relatives à la priorité :
11/199221 13.07.1999 JP
Titre (EN) SINGLE ELECTRON TUNNELING TRANSISTOR HAVING MULTILAYER STRUCTURE
(FR) TRANSISTOR A STRUCTURE MULTICOUCHE CANALISANT UN SEUL ELECTRON
Abrégé : front page image
(EN)A single electron tunneling transistor which has a multilayer structure exhibiting a single electron tunneling effect even with processing precision of more than 0.1$g(m)m. The multilayer structure of the single electron tunneling transistor is constituted by alternately growing an electrically conductive layer (11) and a tunneling barrier layer (12). The number of the layers is 50 or more. The structure has a micro-miniaturized tunneling junction of the order of 1$g(m)m?2¿.
(FR)La présente invention concerne un transistor canalisant un unique électron et présentant une structure multicouche permettant un effet tunnel mono-électron, même avec une précision de traitement de plus de 0,1 $g(m)m. La structure multicouche de ce transistor canalisant un unique électron est réalisé par la croissance en alternance d'une couche électro-conductrice (11) et d'une couche barrière de canalisation (12). Le nombre de couches est d'au moins 50. La jonction de canalisation micro-miniuaturisée de cette structure est de l'ordre du 1 $g(m)m?2¿.
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)