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1. (WO2001004950) DISPOSITIF POUR LA DISSIPATION THERMIQUE DE COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS EN CAS D'APPARITION DE POINTES DE CHARGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/004950    N° de la demande internationale :    PCT/DE2000/002074
Date de publication : 18.01.2001 Date de dépôt international : 26.06.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.01.2001    
CIB :
H01L 23/427 (2006.01)
Déposants : SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-80333 München (DE) (Tous Sauf US).
KREUTZER, Rainer [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
JUNG, Robert [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
ZERBIAN, Erich [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : KREUTZER, Rainer; (DE).
JUNG, Robert; (DE).
ZERBIAN, Erich; (DE)
Représentant
commun :
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34, D-80506 München (DE)
Données relatives à la priorité :
199 32 441.7 12.07.1999 DE
Titre (DE) VORRICHTUNG ZUR ENTWÄRMUNG VON HALBLEITERBAUELEMENTEN BEIM AUFTRETEN VON BELASTUNGSSPITZEN
(EN) DEVICE FOR HEAT DISSIPATION OF SEMICONDUCTOR COMPONENTS IN CASE OF LOAD PEAKS
(FR) DISPOSITIF POUR LA DISSIPATION THERMIQUE DE COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS EN CAS D'APPARITION DE POINTES DE CHARGE
Abrégé : front page image
(DE)Bei einer Vorrichtung zur Entwärmung eines Halbleiterbauelementes, welche ein Halbleiterbauelement und einen ersten mit diesem kontaktierten Kühlkörper aufweist, ist der erste Kühlkörper mit einem Medium mit niedrigem Schmelzpunkt versehen. Dieses schmilzt bei einer Erhöhung der Temperatur, wobei während des Schmelzvorganges keine weitere Temperaturerhöhung stattfindet. Dadurch wird die Zeit bis zum Erreichen der thermischen Zerstörgrenze des Halbleiterelementes verlängert. Dies ist insbesondere in der Motoranlaufphase von Vorteil, wenn das Halbleiterelement als Motorschaltelement dient.
(EN)The invention concerns a device for heat dissipation of a semiconductor component and comprising a semiconductor component and a first cooling body in contact with the semiconductor component and provided with a medium having a low melting point. Said medium melts when the temperature rises, but the fusion does not raise the temperature further. The time interval required to reach thermal destruction of the semiconductor component is thus prolonged, which is particularly advantageous in an engine starting phase when the semiconductor component acts as a control element of the engine.
(FR)L'invention concerne un dispositif servant à la dissipation thermique d'un composant semi-conducteur et comprenant un composant semi-conducteur ainsi qu'un premier corps de refroidissement en contact avec le composant semi-conducteur et pourvu d'un milieu à point de fusion bas. Ce milieu fond en cas d'élévation de la température, la fusion n'entraînant pas d'autre élévation de la température. La durée nécessaire pour atteindre la limite de destruction thermique du composant semi-conducteur est ainsi allongée, ce qui est particulièrement avantageux dans la phase de démarrage d'un moteur lorsque le composant semi-conducteur sert d'élément de commande de moteur.
États désignés : CA, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)