WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2001004928) APPAREIL ET PROCEDE AMELIORES PERMETTANT DE METALLISER DES PLAQUETTES, DES SUBSTRATS ET D'AUTRES ARTICLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/004928    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/017142
Date de publication : 18.01.2001 Date de dépôt international : 21.06.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    06.02.2001    
CIB :
C25D 5/00 (2006.01), C25D 5/20 (2006.01), C25D 21/20 (2006.01), C25D 7/12 (2006.01), C25D 11/32 (2006.01), C25D 17/00 (2006.01), C25B 9/00 (2006.01)
Déposants : TECHNIC INC. [US/US]; 5400 Commerce Avenue, Moorpark, CA 93021 (US)
Inventeurs : KAUFMAN, Robert; (US).
DOWNES, Gary, C.; (US).
GRAMAROSSA, Daniel, J.; (US)
Mandataire : FOUNTAIN, George, L.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman, 7th floor, 12400 Wilshire Boulevard, Los Angeles, CA 90025-1026 (US)
Données relatives à la priorité :
09/348,768 07.07.1999 US
Titre (EN) IMPROVED APPARATUS AND METHOD FOR PLATING WAFERS, SUBSTRATES AND OTHER ARTICLES
(FR) APPAREIL ET PROCEDE AMELIORES PERMETTANT DE METALLISER DES PLAQUETTES, DES SUBSTRATS ET D'AUTRES ARTICLES
Abrégé : front page image
(EN)A plating apparatus (100) and methodology is disclosed that is particularly useful in improving the plating rate, improving the plating of via holes, improving the uniformity of the plating deposition across the surface of the wafer (102), and minimizing damage to the wafer. With regard to improving the plating rate and the plating of via holes, the plating apparatus (100) and method immerses a wafer (102) in a plating fluid bath (104) and continuously directs plating fluid (104) towards the surface of the wafer (102). Immersing the wafer (102) in a plating fluid bath (104) reduces the occurrence of trapped gas pockets within via holes which make it easier to plate them. The continuous directing of the plating fluid (104) towards the surface of the wafer (102) increases the ion concentration gradient which is, in turn, increases the plating rate. With regard to improving the uniformity of the plating deposition, the plating apparatus (150) and method effectuate random horizontal fluid flow within the bath (154) to reduce the occurrence of relatively long horizontal fluid flow that causes non-uniform plating deposition across the surface of the wafer (152). In addition, the plating apparatus (200) and method configure the electrostatic field (212) between the anode (210) and cathode (208) in a manner that improves the uniformity of the current distribution across the surface of the wafer (206) to provide a more uniform plating of the wafer.
(FR)L'invention concerne un appareil et un procédé de métallisation particulièrement utiles pour l'accroissement de la vitesse de métallisation, l'amélioration de la métallisation de trous métallisés et de l'uniformité du dépôt galvanoplastique sur toute la surface de la plaquette, ainsi que pour la minimisation des dommages subis par la plaquette. Afin d'augmenter la vitesse de métallisation et la métallisation de trous métallisés, une plaquette est immergée dans un bain galvanoplastique fluide et le fluide est dirigé de manière continue vers la surface de la plaquette. L'immersion de la plaquette dans un bain galvanoplastique fluide a pour effet de réduire la formation de poches gazeuses piégées dans les trous métallisés, ce qui facilite leur métallisation. L'acheminement en continu de fluide galvanoplastique vers la surface de la plaquette augmente le gradient de concentration ionique qui, à son tour, augmente la vitesse de métallisation. Afin d'améliorer l'uniformité du dépôt galvanoplastique, un écoulement fluidique horizontal aléatoire est créé dans le bain de manière à réduire l'occurrence d'un écoulement fluidique horizontal relativement long qui produit un dépôt galvanoplastique non uniforme sur toute la surface de la plaquette. Par ailleurs, le champ électrostatique entre l'anode et la cathode est configuré de manière à améliorer l'uniformité de la distribution du courant électrique sur toute la surface de la plaquette et, ainsi, à produire une métallisation plus uniforme de la plaquette. En outre, une cathode secondaire située entre l'anode et la cathode modifie le champ électrostatique afin d'améliorer l'uniformité de la métallisation sur toute la surface de la plaquette. Afin de minimiser dommages subis par la plaquette, un liquide conducteur permet d'effectuer le contact de cathode sur la surface de la plaquette.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)