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1. (WO2001004926) PROCEDES ET DISPOSITIF D'ALIGNEMENT DE SYSTEMES DE FAISCEAUX IONIQUES EMPLOYANT DES CAPTEURS DE COURANT DE FAISCEAU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/004926    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/017920
Date de publication : 18.01.2001 Date de dépôt international : 29.06.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.01.2001    
CIB :
H01J 37/304 (2006.01), H01J 37/317 (2006.01)
Déposants : VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road, Gloucester, MA 01930 (US)
Inventeurs : CUCCHETTI, Antonella; (US).
KLOS, Leo, Vincent, Jr.; (US).
OLSON, Joseph, C.; (US).
PELLETIER, Raymond, L.; (US).
PIERCE, Keith; (US).
RENAU, Anthony; (US).
SMATLAK, Donna; (US)
Mandataire : McCLELLAN, William, R.; Wolf, Greenfield & Sacks, P.C., 600 Atlantic Avenue, Boston, MA 02210 (US)
Données relatives à la priorité :
09/349,828 08.07.1999 US
Titre (EN) METHODS AND APPARATUS FOR ALIGNMENT OF ION BEAM SYSTEMS USING BEAM CURRENT SENSORS
(FR) PROCEDES ET DISPOSITIF D'ALIGNEMENT DE SYSTEMES DE FAISCEAUX IONIQUES EMPLOYANT DES CAPTEURS DE COURANT DE FAISCEAU
Abrégé : front page image
(EN)An ion beam is sensed with a beam current sensor which has a sensing aperture that is smaller than a cross-sectional dimension of the ion beam at the beam current sensor. The sensed ion beam current is indicative of ion beam position relative to a desired ion beam path. The ion beam position may be adjusted if the sensed ion beam position differs from the desired ion beam path. One or more beam current sensors may be utilized in an ion implanter for calibration and/or alignment. The beam current sensor may be utilized to determine a relation between a characteristic of an ion beam, such as magnetic rigidity, and a parameter of a system element, such as magnetic field, required to direct the ion beam along a desired ion beam path.
(FR)Selon l'invention, un faisceau ionique est capté au moyen d'un capteur de courant de faisceau, présentant une ouverture de capteur de dimension inférieure à la dimension en coupe transversale du faisceau ionique sur le capteur de courant de faisceau. Le courant de faisceau ionique capté est caractéristique de la position du faisceau ionique par rapport à la trajectoire souhaitée du faisceau ionique. La position du faisceau ionique peut être ajustée au cas où la position du faisceau ionique captée est différente de la trajectoire souhaitée du faisceau ionique. Un ou plusieurs capteurs de courant de faisceau peuvent être utilisés dans un implanteur ionique pour l'étalonnage ou l'alignement. Le capteur de courant de faisceau peut être utilisé en vue de déterminer une relation entre une caractéristique d'un faisceau ionique, telle que la rigidité magnétique, et un paramètre d'un élément du système, tel que le champ magnétique, cette relation étant nécessaire pour diriger le faisceau ionique le long d'une trajectoire de faisceau ionique souhaitée.
États désignés : IL, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)